[发明专利]带凸块的器件晶片的加工方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体器件晶片的加工方法，更详细地讲，涉及使薄化后的半导体器件晶片的操作容易进行的技术。

背景技术

在半导体器件晶片、光器件晶片等表面具有多个器件的晶片的加工中，例如，进行对晶片的背面磨削的薄化处理，以使晶片的厚度达到50μm以下。

与更厚的晶片相比，晶片的厚度达到50μm以下的晶片的操作(处理)变得非常困难。产生了例如在晶片的外周产生破损或刚性显著降低的问题。

因此，已知下述技术：在利用粘接剂等将晶片的表面(器件面)粘贴至由玻璃或硅构成的载体晶片(也称作支承晶片、支承板)上的状态下，实施晶片的背面磨削(参照专利文献1)。

专利文献1：日本特开2004-207606号公报

然而，在半导体晶片的表面形成有多个凸块的带凸块的器件晶片存在下述问题：粘接剂进入由凸块形成的凹凸部位，在将器件从载体晶片剥离后，将所述进入微细的凹凸的粘接剂完全除去非常困难。而且，担心由于残留的粘接剂而引起器件不合格。

另一方面，带凸块的器件晶片由形成有器件的器件区域和未形成有器件的外周剩余区域构成，但由于在外周剩余区域未形成有凸块，所以器件区域和外周剩余区域的上表面高度(以器件晶片的背面为基准的高度)不同。

因此，在将晶片保持于保持工作台并磨削晶片的背面使晶片变薄时，假设未从下侧保持外周剩余区域，则外周剩余区域成为从保持工作台浮起的状态，因此担心晶片破损。

发明内容

本发明正是鉴于以上问题点而完成的，其目的在于提供一种带凸块的器件晶片的加工方法，即使对带凸块的器件晶片也能够进行薄化加工而不使其破损，并且，不会产生因粘接剂附着到由凸块形成的凹凸部位而导致器件不合格。

根据技术方案1记载的发明，提供一种带凸块的器件晶片的加工方法，所述带凸块的器件晶片具备器件区域和围绕器件区域的外周剩余区域，所述器件区域在由形成于表面的交叉的多条分割预定线划分出的各个区域分别形成有器件，器件具有多个凸块，所述带凸块的器件晶片的加工方法的特征在于，所述带凸块的器件晶片的加工方法具备：载体晶片准备步骤，在所述载体晶片准备步骤中，准备载体晶片，所述载体晶片具备深度与凸块的高度相当的凹部和与器件晶片的外周剩余区域对应并围绕凹部的环状凸部，在环状凸部的上表面形成有环状槽，所述载体晶片用于支承器件晶片的表面，所述凸块形成于器件晶片的与器件区域对应的区域；粘接剂配设步骤，在所述粘接剂配设步骤中，在载体晶片的环状槽以从环状凸部的上表面突出的方式配设粘接剂，并且将所述粘接剂的量设定为不从所述环状槽溢出的量；晶片贴合步骤，在所述晶片贴合步骤中，在实施粘接剂配设步骤后，使载体晶片的表面和器件晶片的表面贴合并借助粘接剂将器件晶片固定于载体晶片，并且将凸块收纳于载体晶片的凹部；以及薄化步骤，在所述薄化步骤中，在实施晶片贴合步骤后，对器件晶片的背面侧进行磨削或研磨，以将器件晶片薄化至预定的厚度，所述带凸块的器件晶片的加工方法还具备切离步骤，在所述切离步骤中，在实施薄化步骤后，利用切削刀具向器件晶片的、与载体晶片的环状槽的内周和凹部的外周之间的区域对应的部位切入，从而将器件晶片的器件区域从载体晶片切离。

在本发明中，仅将器件晶片的与外周剩余区域对应的区域借助粘接剂粘贴至载体晶片，因此不会在器件和凸块附着粘接剂，不会产生粘接剂除去的必要性，和因粘接剂残留而引起的器件不合格的不良情况。

并且，在载体晶片的与器件晶片的器件区域对应的中央区域形成有凹部，因此在磨削器件晶片的背面使其变薄时，凸块被收纳于凹部，并且外周剩余区域由载体晶片的环状凸部支承，从而能够防止器件晶片的破损。

附图说明

图1是晶片的立体图。

图2是说明晶片贴合步骤的立体图。

图3是形成有凹部的载体晶片的剖视图。

图4是形成有环状槽的载体晶片的剖视图。

图5是切削装置的外观的立体图。

图6是示出基于切削装置的环状槽的形成的立体图。

图7是示出基于切削装置的环状槽的形成的局部剖侧视图。

图8是实施粘接剂配设步骤后的载体晶片的剖视图。

图9是说明晶片贴合步骤的剖视图。

图10是贴合后的晶片和载体晶片的剖视图。

图11是示出薄化步骤的立体图。

图12是薄化步骤后的贴合于载体晶片的晶片的剖视图。

图13是说明切离步骤的剖视图。

标号说明

2：磨削装置；