[发明专利]一种具有六棱锥形p型氮化镓的发光二极管制备方法

权利要求书

1.一种具有六棱锥形p型氮化镓的发光二极管的制备方法，包括：

步骤1：在发光二极管外延片上沉积掩蔽层；

步骤2：所沉积的掩蔽层上涂上光刻胶，并在光刻胶上铺单层密排自组装小球；

步骤3：对所述单层密排自组装小球进行曝光后，去除所述单层密排自组装小球；

步骤4：对去除所述单层密排自组装小球后的所述外延片进行显影获得带有孔洞图形的光刻胶模板；

步骤5：将所述孔洞图形转移至所述掩蔽层，并去除带有孔洞图形的光刻胶模板，获得带有孔洞图形的掩蔽层模板；

步骤6：将所述带有孔洞图形的掩蔽层模板转移至金属有机物气象化学淀积生长室中，生长出六棱锥状p型氮化镓，并去除所述掩蔽层模板，最终获得具有六棱锥状p型氮化镓的发光二级管外延片。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1中所述发光二极管外延片包括蓝宝石衬底和氮化镓外延片。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1中所述掩蔽层为二氧化硅掩蔽层或者其他可进入金属有机物气象化学淀积生长室的非晶掩蔽层。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1中所述掩蔽层可以采用等离子体增强化学气象沉积或者原子层沉积等方法来沉积。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2中所述单层密排自组装小球为具有光汇聚作用的透明自组装小球。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤3中去除所述单层密排自组装小球可以利用等离子水超声方法或者利用具有一定粘附性的胶带进行粘附的方法。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2中所述光刻胶的厚度和步骤3中所述曝光波长均根据所述单层密排自组装小球的尺寸确定，所述单层密排自组装小球的直径在100纳米至3微米之间。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤5中所述将孔洞图形转移至掩蔽层可以通过感应耦合等离子体刻蚀或者通过湿法腐蚀方法来实现。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤6中所述在金属有机物气象化学淀积生长室生长六棱锥状p型氮化镓，其生长条件依据所需要的六棱锥形状和大小来确定。