[发明专利]具有低温n型插入层的氮化镓系发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种氮化镓系发光二极管，其包括： 

衬底； 

氮化镓成核层，该氮化镓成核层制作在衬底上； 

缓冲层，该缓冲层制作在所述氮化镓成核层上； 

n型接触层，该n型接触层制作在该缓冲层上，该n型接触层由n型氮化镓构成； 

n型插入层，该n型插入层制作在n型接触层内部，其上下均为n型接触层； 

活性发光层，该活性发光层制作在n型接触层上并覆盖所述n型接触层的部分表面； 

负电极，该负电极制作在n型接触层未被所述活性发光层覆盖的表面上，且其位于n型插入层的下方； 

p型电子阻挡层，该p型电子阻挡层制作在活性发光层上； 

p型接触层，该p型接触层制作在p型电子阻挡层上，该p型接触层由p型氮化镓构成； 

正电极，该正电极制作在p型接触层上。 

2.如权利要求1所述的氮化镓系发光二极管，其特征在于：所述n型插入层为AlxGal-xN、InyAl1-yN和AlaInbGal-a-bN其中之一，其中0≤x≤1，0≤y≤1，0≤a＜1，0≤b＜1。 

3.如权利要求1所述的氮化镓系发光二极管，其特征在于：所述n型插入层的生长温度为500℃-1000℃，其厚度为50-100nm。 

4.如权利要求1所述的氮化镓系发光二极管，其特征在于：所述n型插入层可以为一层或多层结构。 

5.如权利要求1所述的氮化镓系发光二极管，其特征在于：所述活性发光层由铟镓氮薄层和氮化镓薄层交互层叠形成的多周期的量子阱结构构成。 

6.如权利要求5所述的氮化镓系发光二极管，其特征在于：所述P型电子阻挡层的下表面为所述活性发光层的氮化镓薄层，且其由铝镓氮构 成。 

7.如权利要求1所述的氮化镓系发光二极管，其特征在在于，衬底6H-SiC、4H-SiC或晶格常数接近于氮化物半导体的单晶氧化物所制成。 

8.如权利要求1所述的氮化镓系发光二极管，其特征在在于，所述n型插入层为低温插入层。 

9.一种氮化镓系发光二极管的制作方法，其包括： 

步骤1、在衬底上制作氮化镓成核层； 

步骤2、在所述氮化镓成核层上制作缓冲层； 

步骤3、在缓冲层上制作n型接触层； 

步骤4、在n型接触层内部制作n型插入层，； 

步骤5、在n型接触层14上制作活性发光层并覆盖所述n型接触层的部分表面； 

步骤6、在活性发光层上制作铝镓氮p型电子阻挡层； 

步骤7、在p型电子阻挡层上制作氮化镓p型接触层； 

步骤8、在n型接触层未被所述活性发光层覆盖的表面上制作负电极，且所述负电极位于所述n型插入层的下方； 

步骤9、在p型接触层上制作正电极，完成氮化镓系发光二极管的制作。 

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述n型插入层为一层或多层，且每层之间由n型接触层隔开；所述n型插入层的生长温度为500℃-1000℃800，其厚度为50-10080nm。