[发明专利]一种白光发光二极管及其制作方法无效
申请号: | 201310060924.6 | 申请日: | 2013-02-27 |
公开(公告)号: | CN103137840A | 公开(公告)日: | 2013-06-05 |
发明(设计)人: | 马平;甄爱功;刘波亭;王军喜;李晋闽 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | H01L33/50 | 分类号: | H01L33/50;H01L33/44 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 宋焰琴 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 白光 发光二极管 及其 制作方法 | ||
1.一种具有光子晶体的发光二极管,其包括:衬底、n型接触层、活性发光层、p型接触层,所述活性发光层位于n型接触层和p型接触层中间;所述多孔状光子晶体制作在所述发光二极管的表层,其孔状内部填充有纳米量级的荧光粉,其表面覆盖有透明电极。
2.如权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,所述发光二极管为正装、倒装或垂直结构的发光二极管。
3.如权利要求2所述的发光二极管,其特征在于,所述发光二极管为正装结构时,所述多孔状光子晶体制作在作为表层的p型接触层上。
4.如权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,所述发光二极管为垂直结构时,所述多孔状光子晶体制作在作为表层的n型接触层上。
5.如权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,所述多孔状光子晶体的孔洞直径为50-1000纳米;孔洞间距为0.1微米-10微米;孔的深度为50-1000纳米;孔的排布为三角形、方形或六角形分布。
6.如权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,所述多孔状光子晶体通过电子束曝光、激光全息曝光干涉、纳米压印或者聚苯乙烯球的方式制作。
7.如权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,荧光粉的粒径为10-100纳米,所述荧光粉包括黄色、红色或绿色荧光粉中的一种或几种混合体。
8.如权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,采用超声旋涂法将所述荧光粉涂覆在所述多孔状光子晶体的孔洞内部。
9.如权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,所述透明电极是铟锡氧化物或氧化锌。
10.如权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,所述衬底的材料包括蓝宝石Al2O3、C-面、R-面或A-面的氧化铝单晶、6H-SiC、4H-SiC或晶格常数接近于氮化物半导体的单晶氧化物之一。
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