[发明专利]切割用粘合片

说明书

技术领域

本发明涉及一种切割用粘合片。

背景技术

由硅、镓、砷等形成的半导体晶圆以大直径状态被制造，在表面形成图案后磨削背面，通常，晶圆的厚度被磨薄至100~600μm左右，进而切割分离（dicing）为元件小片（半导体芯片），进而转移至安装工序。在这样的半导体晶圆的制造工序中，粘合片被广泛使用。例如，在切割工序中，为了固定半导体晶圆而使用切割用粘合片。

通常，在切割工序中通过切割刀片切割半导体晶圆。此时，由切割用粘合片产生切削屑时，该切削屑污染半导体芯片以及其它的部件，降低电子元件的可靠性以及产量。作为使由切割用粘合片产生的切削屑减少的技术，提出了通过使用具有特定的构造且具有高熔点的烯烃系热塑性弹性体作为基材薄膜来减少基材薄膜来源的切削屑的技术（专利文献1）。但是，即使使用了这样的技术也不能消除切割刀片带出粘合剂而产生的粘合剂来源的切削屑。另外，提出了具备高弹性模量的粘合粘接剂层的切割用粘合片（专利文献2）。但是，即使是该技术，减少切削屑的效果也不充分。另外，高弹性模量的粘合粘接剂层不具有充分的粘合力，即使是该技术也不能解决这个问题。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2003-7654号公报

专利文献2：日本特开2005-159069号公报

发明内容

发明要解决的问题

本发明是为了解决上述以往的问题而作出的，其目的在于提供一种切割工序中切削屑的产生受到抑制的切割用粘合片。

用于解决问题的方案

本发明的切割用粘合片具备包含非晶丙烯-（1-丁烯）共聚物的粘合剂层，该非晶丙烯-（1-丁烯）共聚物的重均分子量（Mw）为200,000以上，该丙烯-（1-丁烯）共聚物的分子量分布（Mw/Mn）为3以下。

在优选的实施方式中，上述粘合剂层还包含结晶聚丙烯系树脂。

在优选的实施方式中，相对于上述非晶丙烯-（1-丁烯）共聚物和该结晶聚丙烯系树脂的总量，上述结晶聚丙烯系树脂的含有比率为50重量%以下。

在优选的实施方式中，上述粘合剂层在20℃下的储能模量（G’）为0.5×10⁶Pa~1.0×10⁸Pa。

在优选的实施方式中，本发明的切割用粘合片还具备基材层。

在优选的实施方式中，相对于上述粘合剂层和该基材层的总厚度，上述基材层的厚度为10%~90%。

在优选的实施方式中，本发明的切割用粘合片是将上述粘合剂层与上述基材层一次性成形而得到的。

发明的效果

根据本发明，通过具备包含具有特定的重均分子量以及分子量分布的非晶丙烯-（1-丁烯）共聚物的粘合剂层，可以提供切割工序中切削屑的产生受到抑制的切割用粘合片。

附图说明

图1是本发明优选的实施方式的切割用粘合片的截面示意图。

附图标记说明

10粘合剂层

20基材层

100切割用粘合片

具体实施方式

A.切割用粘合片的整体构成

图1是本发明优选的实施方式的切割用粘合片的截面示意图。切割用粘合片100具备粘合剂层10。粘合剂层10包含非晶丙烯-（1-丁烯）共聚物。本发明的切割用粘合片既可以是粘合剂层10的单层片，还可以如图1所示具备基材层20。

切割用粘合片100的厚度优选为50μm~300μm，进一步优选为75μm~200μm，特别优选为75μm~125μm。