[发明专利]奥氮平晶型及其制备方法和用途

权利要求书

1.一种奥氮平晶型，其使用Cu-Kα辐射、以d值表示的XRD光谱在约5.175、4.300、4.026和3.723有峰。

2.根据权利要求1所述的奥氮平晶型，其使用Cu-Kα辐射所得XRD光谱如附图1所示。

3.一种根据权利要求1或2所述的奥氮平晶型的制备方法，其包括采用混合有机溶剂溶解奥氮平，其中奥氮平与混合有机溶剂的质量体积比为1:8~1:10，加热回流，回流温度下加入硅胶后搅拌，趁热过滤硅胶，在10℃～20℃条件下析晶，然后过滤得目标晶型。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其中所述混合有机溶剂含有甲醇和乙醚，其中甲醇和乙醚的体积比为4:1。

5.根据权利要求3所述的制备方法，其中所述析晶温度为15℃。

6.一种治疗精神分裂症的药物组合物，其含有治疗有效量的如权利要求1或2所述的奥氮平晶型作为有效成分以及药学上可接受的载体。

7.根据权利要求1或2所述的奥氮平晶型或者根据权利要求6所述的治疗精神分裂症的药物组合物在制备用于治疗精神分裂症的药物中的用途。