[发明专利]制备有机发光装置的方法

说明书

本申请要求于2012年3月2日在韩国知识产权局提交的第10-2012-0022041号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。

技术领域

本发明的实施例涉及一种制备有机发光装置的方法。

背景技术

有机发光装置是可提供多色图像的自发射装置，它具有诸如宽视角、优良的对比度、快速响应、增大的明度以及优异的驱动电压特性的优点。

有机发光装置包括有机发射单元，有机发射单元包括第一电极、有机层和第二电极。由于有机发射单元例如易受到外部环境中的元素(例如，氧和湿气)的影响，所以需要密封有机发射单元以与外部环境隔开的密封结构。

此外，还期望开发一种薄的有机发光装置和/或柔性的有机发光装置。

发明内容

本发明的实施例提供了一种制备包括薄膜包封层的有机发光装置的方法，所述薄膜包封层具有使与外部环境分开的优异的密封特性和延长的时间的柔性特性。

根据本发明的一方面，提供了一种制备有机发光装置的方法，所述方法包括：在基底上形成有机发射单元；形成薄膜包封层，所述薄膜包封层接触环境元件并包括至少一个无机层，所述至少一个无机层包括低温粘度转变(LVT)无机材料，其中，利用包括下述步骤的工艺形成所述至少一个无机层：通过将所述LVT无机材料设置在所述环境元件位于其上的所述有机发射单元上来形成包括所述LVT无机材料的预无机层；在高于所述LVT无机材料的粘度转变温度的温度下对所述预无机层执行第一恢复处理；对已经经历过所述第一恢复处理的所述预无机层执行第二恢复处理，以提高所述环境元件和所述LVT无机材料之间的结合力并提高所述LVT无机材料之间的结合力。

所述环境元件可包括在形成所述有机发射单元的过程中出现的杂质颗粒。

所述LVT无机材料的粘度转变温度可为使所述LVT无机材料表现出流体性质所需的最低温度。

所述LVT无机材料的粘度转变温度可低于所述有机发射单元的材料的变性温度。

所述LVT无机材料的粘度转变温度可低于所述有机发射单元的多种材料的变性温度的最小值。

所述LVT无机材料可包括锡氧化物。

所述LVT无机材料还可包括磷氧化物、磷酸硼、锡氟化物、铌氧化物和钨氧化物中的至少一种。

所述LVT无机材料可包括以下物质中的至少一种：SnO；SnO和P₂O₅；SnO和BPO₄；SnO、SnF₂和P₂O₅；SnO、SnF₂、P₂O₅和NbO；SnO、SnF₂、P₂O₅和WO₃。

可利用溅射、真空沉积、低温沉积、电子束涂覆或离子镀覆提供所述LVT无机材料。

所述第一恢复处理可包括在所述LVT无机材料的粘度转变温度和所述有机发射单元的材料的变性温度之间的温度下对所述预无机层进行热处理。

所述第一恢复处理可包括在所述LVT无机材料的粘度转变温度和所述有机发射单元的多种材料的变性温度的最小值之间的温度下对所述预无机层进行热处理。

所述第一恢复处理可包括在大约80℃至大约132℃的范围内的温度下对所述预无机层进行热处理大约1小时至大约3小时。

所述第一恢复处理可在真空下或在惰性气体气氛下进行。

所述第二恢复处理可包括化学处理、等离子体处理、其中室包含氧的热室处理或者其中室包含氧和湿气的热室处理。

所述第二恢复处理可包括化学处理，并且可使用从由酸溶液、碱溶液和中性溶液组成的组中选择的至少一种对已经经历第一恢复处理的预无机层进行处理。

所述碱溶液可包括硝酸盐。

第二恢复处理可包括等离子体处理，并且可在真空下使用O₂等离子体、N₂等离子体和Ar等离子体中的至少一种对已经经历第一恢复处理的预无机层进行处理。

第二恢复处理可包括等离子体处理，并且可在大气压力下使用O₂等离子体、N₂等离子体和Ar等离子体中的至少一种对已经经历第一恢复处理的预无机层进行处理。