[发明专利]噻二唑系化合物、发光元件用化合物、发光元件、发光装置、认证装置、电子设备有效
| 申请号： | 201310060160.0 | 申请日： | 2013-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN103288856B | 公开（公告）日： | 2019-04-09 |
| 发明（设计）人： | 山本英利;藤田彻司 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | C07D513/04 | 分类号： | C07D513/04;C09K11/06;H01L51/54 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 金世煜;苗堃 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 噻二唑系 化合物 发光 元件 装置 认证 电子设备 | ||
1.一种发光元件，其特征在于，具有阳极、阴极、发光层、电子输送层和空穴输送层，
所述发光层设置在所述阳极与所述阴极之间，通过在所述阳极和所述阴极之间通电而发光，
所述电子输送层与所述发光层相接地设置在所述阴极与所述发光层之间且具有电子输送性，所述电子输送层具备第1电子输送层和第2电子输送层，所述第1电子输送层含有氮杂吲哚嗪系化合物作为第1电子输送性材料而构成，所述第2电子输送层设置在所述第1电子输送层与所述发光层之间并与这两层相接，并且含有与所述第1电子输送性材料不同的第2电子输送性材料而构成，
所述空穴输送层与所述发光层相接地设置在所述阳极与所述发光层之间且具有空穴输送性，
所述发光层含有下述式(2)～(4)中任一种表示的化合物作为发光材料，并且含有下述式H1-1～H1-11表示的化合物中的至少一种作为主体材料而构成，
所述氮杂吲哚嗪系化合物是下述式ELT-A1～ELT-A24表示的化合物或下述式ELT-B1～式ELT-B12表示的化合物或下述ELT-C1～ELT-C20表示的化合物，
所述第2电子输送性材料含有三(8-羟基喹啉)铝或下述式H1-1～H1-11表示的化合物中的至少一种或下述式H2-1～H2-56表示的化合物中的至少一种而构成，
所述式(2)～(4)中，R各自独立地表示氢原子、甲基，
2.一种发光元件，其特征在于，具有阳极、阴极、发光层、电子输送层和空穴输送层，
所述发光层设置在所述阳极与所述阴极之间，通过在所述阳极和所述阴极之间通电而发光，
所述电子输送层与所述发光层相接地设置在所述阴极与所述发光层之间且具有电子输送性，所述电子输送层具备第1电子输送层和第2电子输送层，所述第1电子输送层含有氮杂吲哚嗪系化合物作为第1电子输送性材料而构成，所述第2电子输送层设置在所述第1电子输送层与所述发光层之间并与这两层相接，并且含有与所述第1电子输送性材料不同的第2电子输送性材料而构成，
所述空穴输送层与所述发光层相接地设置在所述阳极与所述发光层之间且具有空穴输送性，
所述发光层含有作为发光材料的下述式(2)～(4)中任一种表示的化合物并且含有作为主体材料的下述式H2-1～H2-56表示的化合物中的至少一种而构成，
所述氮杂吲哚嗪系化合物是下述式ELT-A1～ELT-A24表示的化合物或下述式ELT-B1～式ELT-B12表示的化合物或下述ELT-C1～ELT-C20表示的化合物，
所述第2电子输送性材料含有三(8-羟基喹啉)铝或下述式H1-1～H1-11表示的化合物中的至少一种或下述式H2-1～H2-56表示的化合物中的至少一种而构成，
所述式(2)～(4)中，R各自独立地表示氢原子、甲基，
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于精工爱普生株式会社，未经精工爱普生株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310060160.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种污水处理系统及方法
- 下一篇：控制发动机的方法
