[发明专利]一种氮化铝陶瓷基板烧结工艺有效
| 申请号： | 201310059439.7 | 申请日： | 2013-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN103121848A | 公开（公告）日： | 2013-05-29 |
| 发明（设计）人： | 江楠 | 申请（专利权）人： | 潮州三环（集团）股份有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/64 | 分类号： | C04B35/64;C04B35/581 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫 |
| 地址： | 515646 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 陶瓷 烧结 工艺 | ||
【权利要求书】：
1.一种氮化铝陶瓷基板烧结工艺，其特征在于，包括以下步骤：
1）将氮化铝坯卷冲剪成一定尺寸的生坯；
2）在氮化铝生坯表面敷上一层隔粘粉；
3）将氮化铝生坯按次序正反面交错叠放在一起；
4）在叠放好的氮化铝生坯上面放置重物，放入真空干燥箱内进行压平陈化处理；
5）将压平陈化处理后的氮化铝生坯放在承烧板并放入间歇炉内进行排胶；
6）将排胶后的产品放入烧结炉内烧结；
7）用除尘设备除去烧结后的氮化铝基板表面的隔粘粉。
2.如权利要求1所述的氮化铝陶瓷基板烧结工艺，其特征在于：步骤3）中，所述的氮化铝生坯片数为5~25片。
3.如权利要求1所述的氮化铝陶瓷基板烧结工艺，其特征在于：步骤4）中，所述的压平陈化处理时间为24~96小时。
4.如权利要求1所述的氮化铝陶瓷基板烧结工艺，其特征在于：步骤5）中，所述的排胶时间为80~200小时，最高排胶温度为450℃~700℃。
5.如权利要求4所述的氮化铝陶瓷基板烧结工艺，其特征在于：步骤（5）中，控制所述的排胶过后的坯体残炭量为3.5%~7%。
6.如权利要求1所述的氮化铝陶瓷基板烧结工艺，其特征在于：步骤6）中，所述的烧结温度为1700℃~1900℃。
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