[发明专利]一种利用含氮的等离子体制备低阻钽和氮化钽双层阻挡层的方法无效
| 申请号： | 201310059371.2 | 申请日： | 2013-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN103151302A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 孙清清;杨雯;王鹏飞;张卫;周鹏 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/285 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 利用 等离子体 制备 低阻钽 氮化 双层 阻挡 方法 | ||
【权利要求书】：
1. 一种利用含氮的等离子体制备低阻钽和氮化钽双层阻挡层的方法，包括：
在提供的半导体基底上生长氮化钽阻挡层；
其特征在于，
用含氮的等离子体对所形成的氮化钽阻挡层进行处理；
在所述氮化钽阻挡层之上生长钽阻挡层,所得到的钽阻挡层和氮化钽阻挡层构成双层阻挡层结构。
2. 如权利要求1所述的利用含氮的等离子体制备低阻钽和氮化钽双层阻挡层的方法，其特征在于，所述的用含氮的等离子体对氮化钽阻挡层进行处理是将生长氮化钽阻挡层后的半导体基底放入反应设备中,并向反应设备中通入含氮气体,然后利用直流放电或者交流放电的方法得到含氮的等离子体对氮化钽阻挡层进行处理。
3. 如权利要求1或2所述的利用含氮的等离子体制备低阻钽和氮化钽双层阻挡层的方法，其特征在于，所述的含氮气体为氨气、一氧化二氮、三氟化氮中的一种。
4. 如权利要求1或2所述的利用含氮的等离子体制备低阻钽和氮化钽双层阻挡层的方法，其特征在于，所述的用含氮的等离子体对氮化钽阻挡层进行处理的时间为1-30分钟。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
