[发明专利]一种有机电致发光器件有效
| 申请号: | 201310059127.6 | 申请日: | 2013-02-26 |
| 公开(公告)号: | CN104009161B | 公开(公告)日: | 2017-02-08 |
| 发明(设计)人: | 解晓博 | 申请(专利权)人: | 珠海光合作用光电设计有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京高航知识产权代理有限公司11530 | 代理人: | 赵永强 |
| 地址: | 519000 广东省珠海市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 有机 电致发光 器件 | ||
技术领域
本发明涉及有机电致发光领域,特别涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
背景技术
1987年,美国Eastman Kodak公司的C.W.Tang和VanSlyke报道了有机电致发光研究中的突破性进展。利用超薄薄膜技术制备出了高亮度,高效率的双层有机电致发光器件(OLED)。10V下亮度达到1000cd/m2,其发光效率为1.51lm/W,寿命大于100小时。
OLED的发光原理是基于在外加电场的作用下,电子从阴极注入到有机物的最低未占有分子轨道(LUMO),而空穴从阳极注入到有机物的最高占有轨道(HOMO)。电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子,激子在电场作用下迁移,将能量传递给发光材料,并激发电子从基态跃迁到激发态,激发态能量通过辐射失活,产生光子,释放光能。
在传统的发光器件中,器件内部发光材料发出的光大约只有18%是可以发射到外部去的,大部分发出的光会以其他形式消耗在器件外部。研究发现,OLED光损耗大,一部分原因是玻璃和阳极界面之间存在折射率的差(如玻璃与ITO之间的折射率之差,玻璃折射率为1.5,ITO为1.8),光从ITO到达玻璃,就会发生全反射,引起了全反射的损失,从而导致整体出光性能较低。还有部分原因在于空穴注入层的不完善。由于现有空穴注入层的材质通常为金属氧化物,它在可见光范围内的吸光率较高,造成了光损失;另外,金属氧化物为无机物,与空穴传输层的有机材料性质差别较大,两者界面之间存在折射率差,容易引起全反射,导致OLED整体出光性能较低。因此非常有必要对玻璃基底和空穴注入层的材质进行改进。
发明内容
为解决上述技术问题,本发明提供了一种有机电致发光器件,包括依次层叠的玻璃基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极;所述空穴注入层材质为高功函数金属、金属氧化物和高折射率材料形成的混合材料,本发明有效提高器件的发光效率和出光效能。
第一方面,本发明提供了一种有机电致发光器件,包括依次层叠的玻璃基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极;所述空穴注入层材质为高功函数金属、金属氧化物和高折射率材料按质量比为1:0.05~0.3:0.01~0.1形成的混合材料;所述高功函数金属为二氧化镨(PrO2)、三氧化二镨(Pr2O3)、氧化钐(Sm2O3)或三氧化镱(Yb2O3),所述金属氧化物为三氧化钼(MoO3)、三氧化钨(WO3)或五氧化二钒(V2O5),所述高折射率材料为氧化锆(ZrO2)、氧化锌(ZnO)或氧化镁(MgO)。
优选地,所述空穴注入层厚度为20~60nm。
优选地,所述玻璃基底的折射率为1.8~2.2,在400nm的光透过率为90%~96%。
更优选地,所述玻璃基底选自牌号为N-LAF36、N-LASF31A、N-LASF41或N-LASF44的玻璃,所述玻璃基底折射率为1.8~1.9。
所述高折射率玻璃基底的折射率为1.8~2.2,在400nm的光透过率为90%~96%;所述空穴注入层材质为高功函数金属、金属氧化物和高折射率材料形成的混合材料;采用高折射率玻璃基底可以消除玻璃与阳极之间的全反射,使更多的光入射到基板中,高功函数金属(功函数为-7.2eV~-6.5eV)可提高器件的空穴注入能力,使空穴从阳极到达有机层的势垒降低,形成欧姆接触,空穴得以隧穿,而金属氧化物在可见光范围内透过率较大(90%~95%),可提高出光效率,同时也具有空穴注入与传输作用,且易于成膜,使整个掺杂层的成膜较均匀,平整,高折射率材料折射率为2.0~2.3,可有效降低光从有机层到达阳极的全反射概率,提高光出射,最终有效提高器件的发光效率。
优选地,所述的阳极为铟锡氧化物(ITO)、铝锌氧化物(AZO)或铟锌氧化物(IZO),厚度为80~300nm,更优选地,所述阳极为ITO,厚度为120nm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





