[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 201310058798.0 | 申请日： | 2013-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN103794654A | 公开（公告）日： | 2014-05-14 |
| 发明（设计）人： | 朴在勋;张昌洙;宋寅赫;严基宙;徐东秀 | 申请（专利权）人： | 三星电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 王凤桐;周建秋 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，该半导体装置包括：
基板；
形成在所述基板上的第一氮化物半导体层；
形成在所述第一氮化物半导体层上的第二氮化物半导体层；
形成在所述第二氮化物半导体层的一边上的阴极电极；
具有一端和另一端的阳极电极，所述一端嵌在所述第二氮化物半导体层的另一边上达到预定深度，以及所述另一端与所述阴极电极间隔开并且形成延伸到所述阴极电极的上部；以及
在所述阳极电极和所述阴极电极之间的所述第二氮化物半导体层上形成以覆盖所述阴极电极的绝缘膜。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述阴极电极嵌入所述第二氮化物半导体层达到预定深度。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述绝缘膜包括：
与所述第二氮化物半导体层接触的第一部分；以及
与所述阴极电极接触的第二部分，
所述第二部分具有比所述第一部分更厚的厚度。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一氮化物半导体层由氮化镓制成。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二氮化物半导体层由氮化铝镓制成。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述绝缘膜为氧化膜。
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，所述氧化膜由二氧化硅制成。
8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述阳极电极由镍制成。
9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述阴极电极为钛/镍/铝/金依次层压而成。
10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述阳极电极形成肖特基接触。
11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述阴极电极形成欧姆接触。
12.一种半导体装置，该半导体装置包括：
基板；
形成在所述基板上的第一氮化物半导体层；
形成在所述第一氮化物半导体层上的第二氮化物半导体层；
形成在所述第二氮化物半导体层的一边上的阴极电极；
具有一端和另一端的阳极电极，所述一端嵌入所述第二氮化物半导体层的另一边达到预定深度，以及所述另一端与所述阴极电极间隔开并且形成延伸到所述阴极电极的上部；以及
在所述阳极电极和所述阴极电极之间的所述第二氮化物半导体层上形成以覆盖所述阴极电极的绝缘膜，
其中，所述绝缘膜包括：
与所述第二氮化物半导体层接触的第一部分；以及
与所述阴极电极接触的第二部分，
所述第二部分具有比所述第一部分更厚的厚度。
13.根据权利要求12所述的半导体装置，其中，所述阴极电极嵌入所述第二氮化物半导体层达到预定深度。
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