[发明专利]一种薄膜结构、压力传感器及电子装置有效
| 申请号： | 201310058108.1 | 申请日： | 2013-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN104003346B | 公开（公告）日： | 2019-05-17 |
| 发明（设计）人： | 金滕滕;丁敬秀;张先明;张复雄 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B81B3/00 | 分类号： | B81B3/00;G01L1/14 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 结构 压力传感器 电子 装置 | ||
1.一种可发生形变的导电薄膜结构，其特征在于，包括至少两层层叠的主体结构层，所述主体结构层的材料为导电材料，以及位于相邻的所述主体结构层之间的层间过渡层，所述层间过渡层的材料为非晶态化合物，以使所述导电薄膜结构具有更好的表面平整度和更小的应变梯度。
2.如权利要求1所述的导电薄膜结构，其特征在于，所述主体结构层的材料为锗硅。
3.如权利要求1所述的导电薄膜结构，其特征在于，所述层间过渡层的材料为氧化硅。
4.如权利要求1至3任一项所述的导电薄膜结构，其特征在于，所述至少两层层叠的主体结构层的层数为2～10。
5.如权利要求4所述的导电薄膜结构，其特征在于，所述至少两层层叠的主体结构层的层数为2～5。
6.如权利要求1至3任一项所述的导电薄膜结构，其特征在于，所述主体结构层的厚度为
7.如权利要求6所述的导电薄膜结构，其特征在于，所述主体结构层的厚度为
8.如权利要求1至3任一项所述的导电薄膜结构，其特征在于，所述层间过渡层的厚度为
9.如权利要求8所述的导电薄膜结构，其特征在于，所述层间过渡层的厚度为
10.如权利要求1至3任一项所述的导电薄膜结构，其特征在于，所述薄膜通过炉管工艺制备。
11.一种压力传感器，其特征在于，包括权利要求1至10任一项所述的导电薄膜结构。
12.如权利要求11所述的压力传感器，其特征在于，所述压力传感器为电容式半导体压力传感器。
13.一种电子装置，其特征在于，包括权利要求11或12所述的压力传感器。
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