[发明专利]一种阵列基板及面板有效
申请号: | 201310057816.3 | 申请日: | 2013-02-22 |
公开(公告)号: | CN103943611B | 公开(公告)日: | 2016-11-23 |
发明(设计)人: | 郑礼朋 | 申请(专利权)人: | 上海天马微电子有限公司;天马微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/60 | 分类号: | H01L23/60;H01L27/02 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
地址: | 201201 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 面板 | ||
技术领域
本发明涉及平板显示及平板图像传感器领域,特别涉及一种用于平板显示或平板图像传感器的阵列基板以及相应面板。
背景技术
当前,平板显示及平板图像传感技术已经进入了飞速发展的阶段,各种应用于平板显示、平板图像传感领域的新型技术正在成为当下研究的热点之一。在其阵列基板的制作过程中,静电成为了提升良率、制造出合格的阵列基板的一个劲敌,随之而来的各种ESD(Electro-Static discharge)防静电手段也应运而生。
现有技术通常在位于阵列基板的周边区域的公共电极线(common line)1与被保护金属线2之间电连接一个短路棒(shorting bar)3来解决静电释放的难题,如图1a所示。在阵列基板的制程过程中,为了防止静电,被保护的金属线2通过短路棒3电连接公共电极线1,具体的,如图1b所示,导电物质4将位于透明基板上原本断开的公共电极线1和被保护金属线2电连接在了一起,从而使得积聚在被保护金属线2上的电荷通过导电物质4释放到公共电极线1上,以便电荷能在大范围扩展,从而降低阵列基板制程中静电损伤风险,实现了静电保护。接近制程结束时,再将覆盖导电物质4的绝缘膜5刻蚀出一个过孔,并进一步将所述过孔暴露出的导电物质4也刻蚀掉,使刻蚀后的导电物质4成为互相电绝缘的两部分,如图1c所示。最后重新覆盖一层新的绝缘膜6将此结构保护起来,这样就实现了阵列基板制程结束时,将被保护金属线2与公共电极线1电绝缘的目的,也即断开短路棒,以便使各被保护金属线2能正常工作。
然而,在实际阵列基板的制造过程中,使短路棒3断开而刻蚀的过孔较深,刻蚀后新覆盖的绝缘膜6在此处的膜质较松;面板使用过程中,尤其在面板拿取时,此处容易发生静电放电,且此时短路棒因被切断而已无静电防护功能,进而很容易导致器件受到静电损伤;另外,因外部静电导入面板(例如柔性电路板FPC带来的外部静电)而引起的良品报废也不容小觑。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是现有技术的阵列基板在短路棒断开后,在被切断的短路棒处产生或者积聚的静电对被保护结构可能造成的静电损伤、静电防护能力缺乏的问题。
具体地,本发明提供的一种阵列基板包括位于周边区域的公共电极线和位于所述公共电极线内侧的被保护结构,电连接于所述被保护结构和所述公共电极线之间的短路棒,用于释放所述被保护结构上的静电,所述被保护结构和所述公共电极线之间还电连接有第二静电保护电路,所述第二静电保护电路在所述短路棒被切断后通过所述公共电极线释放静电。
进一步的,所述短路棒设置在所述公共电极线远离所述阵列基板中心区域的一侧,所述被保护结构与所述公共电极线交叠,所述公共电极线在所述交叠区域包括至少一个镂空区域,所述第二静电保护电路包括至少一个由所述被保护结构和所述公共电极线交叠形成的电容。
进一步的,所述镂空区域位于所述公共电极线远离所述阵列基板中心区域的一侧,或者位于所述公共电极线的中心区域,或者位于所述公共电极线的两侧边缘。
进一步的,所述短路棒设置在所述公共电极线靠近所述阵列基板中心区域的一侧,所述公共电极线包含至少一个第一分支,所述第二静电保护电路包括由所述第一分支与所述被保护结构交叠形成的电容。
进一步的,所述被保护结构包含至少一个第二分支,所述第二静电保护电路包括由所述第一分支和所述被保护结构的第二分支交叠形成的电容。
进一步的,所述被保护结构包括一个镂空区域,被镂空的那部分被保护结构区段被所述镂空区域分为第一部分和第二部分,所述第一分支与所述第二部分交叠且与所述第一部分不交叠,所述第二静电保护电路包括由所述第一部分与所述第一分支形成的尖端放电结构。
进一步的,所述短路棒设置在所述公共电极线靠近所述阵列基板中心区域的一侧,所述第二静电保护电路包括至少一个TFT,所述TFT的源极或者漏极电连接所述被保护结构,所述TFT的漏极或者源极电连接所述公共电极线,所述TFT的栅极接低电平。
进一步的,所述短路棒设置在所述公共电极线靠近所述阵列基板中心区域的一侧,所述第二静电保护电路包括第一TFT、第二TFT、第三TFT、以及第四TFT,其中:
所述第一TFT的源极与第二TFT的源极相连,并连接至第二TFT的栅极;
所述第一TFT的漏极与第二TFT的漏极相连,并连接至第一TFT的栅极;
所述第三TFT的源极与第四TFT的源极相连,并连接至第三TFT的栅极;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海天马微电子有限公司;天马微电子股份有限公司,未经上海天马微电子有限公司;天马微电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310057816.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。