[发明专利]防反灌电流电路、防反灌电流方法及供电系统

权利要求书

1.一种防反灌电流电路，其特征在于，

所述防反灌电流电路连接在桥式同步整流型供电系统的变压器副线圈的中心点与驱动电路之间，所述驱动电路的输出端连接与所述变压器副线圈相连的副边整流电路的金属-氧化层-半导体-场效晶体管MOSFET，所述驱动电路用于驱动所述副边整流电路的MOSFET；

所述防反灌电流电路包括检测电路、状态保持电路、比较电路以及电压识别电路，其中：

所述检测电路的输入端与所述桥式同步整流型供电系统的变压器副线圈的中心点连接，用于检测桥式同步整流型供电系统的输出电压，并输出；

所述状态保持电路的输入端与所述检测电路的输出端连接，用于在保持周期内保持所述检测电路输出的所述输出电压；

所述比较电路的输入端与所述检测电路的输出端以及所述状态保持电路的输出端连接，用于在所述检测电路检测的所述桥式同步整流型供电系统的当前输出电压低于所述状态保持电路保持的所述输出电压时输出高电平；

所述电压识别电路的输入端与所述检测电路的输出端以及所述比较电路的输出端连接，所述电压识别电路的输出端与所述驱动电路的输入端连接，用于在所述检测电路输出的输出电压为高电平，且所述比较电路的输出为高电平时，向所述驱动电路输出关断信号，以使所述驱动电路根据所述关断信号控制所述副边整流电路的MOSFET关断。

2.根据权利要求1所述的防反灌电流电路，其特征在于，所述保持周期为所述桥式同步整流型供电系统的当前输出电压的变化周期的3～5倍。

3.根据权利要求1或2所述的防反灌电流电路，其特征在于，所述检测电路包括第一电阻、第二电阻和第一电容，其中，所述第一电阻的一端与所述桥式同步整流型供电系统的变压器副线圈的中心点连接，所述第一电阻的另一端与所述第二电阻的一端串联，所述第二电阻的另一端与地连接，所述第一电阻和第二电阻的连接点与地之间连接所述第一电容，所述第一电阻和第二电阻的连接点分别与所述状态保持电路的输入端、所述比较电路的输入端和所述电压识别电路的输入端连接。

4.根据权利要求3所述的防反灌电流电路，其特征在于，所述状态保持电路包括二极管、第三电阻和第二电容，其中，所述二极管的正极与所述第一电阻和第二电阻的连接点连接，所述二极管的负极通过所述第三电阻接地，所述第三电阻和所述第二电容并联。

5.根据权利要求4所述的防反灌电流电路，其特征在于，所述比较电路包括直流电源、比较器和第四电阻，所述直流电源为所述比较器提供工作电压，所述二极管的负极与所述比较器的正极输入端电连接，所述第一电阻和第二电阻的连接点与所述比较器的负极输入端之间串联所述第四电阻，所述比较器的输出端连接所述电压识别电路的输入端。

6.根据权利要求5所述的防反灌电流电路，其特征在于，所述电压识别电路包括逻辑与门、第五电阻和第三电容，所述逻辑与门的一个输入端与所述比较器的输出端连接，所述逻辑与门的另一个输入端通过所述第五电阻，与所述第一电阻和第二电阻的连接点连接，所述逻辑与门的另一个输入端和所述第五电阻的连接点通过所述第三电容与地连接，所述逻辑与门的输出端与所述驱动电路的输入端连接。

7.根据权利要求3～6任一项所述的防反灌电流电路，其特征在于，所述第二电阻的阻值小于所述第一电阻的阻值。

8.一种防反灌电流的方法，其特征在于，包括：

检测桥式同步整流型供电系统的输出电压；

在保持周期内保持检测到的所述桥式同步整流型供电系统的输出电压；

若所述桥式同步整流型供电系统的当前输出电压低于保持的所述输出电压，且所述桥式同步整流型供电系统的当前输出电压为高电平时，则关断与所述桥式同步整流型供电系统的变压器副线圈相连的副边整流电路的金属-氧化层-半导体-场效晶体管MOSFET。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述保持周期为所述桥式同步整流型供电系统的当前输出电压的变化周期的3～5倍。

10.一种防反灌电流供电系统，其特征在于，包括桥式同步整流型供电系统和如权利要求1～7任一项所述的防反灌电流电路。