[发明专利]TFT阵列基板及其制造方法、显示装置

权利要求书

1.一种TFT阵列基板的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、在一衬底基板上形成薄膜晶体管；

S2、在完成步骤S1的衬底基板上形成钝化层薄膜；

S3、在完成步骤S2的衬底基板上形成包括钝化层过孔和遮光片的图案；

S4、在完成步骤S3的衬底基板上形成彩色滤光片图案和像素电极图案，所述像素电极通过所述钝化层过孔与所述薄膜晶体管的漏电极电连接，所述彩色滤光片与所述像素电极的位置对应。

2.根据权利要求1所述的TFT阵列基板的制造方法，其特征在于，形成钝化层过孔的图案具体包括：

在完成步骤S2的衬底基板上涂覆一层光刻胶；

采用掩膜版进行曝光，显影，使光刻胶形成光刻胶完全去除区域和光刻胶完全保留区域，其中，光刻胶完全去除区域对应于所述钝化层过孔所在的区域，光刻胶完全保留区域对应于其他图案所在的区域；

刻蚀掉光刻胶完全去除区域的钝化层薄膜，形成钝化层过孔的图案。

3.根据权利要求2所述的TFT阵列基板的制造方法，其特征在于，形成遮光片的图案具体包括：

通过灰化工艺减薄光刻胶完全保留区域的光刻胶高度直至露出所述薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的周边区域上方仍保留一定厚度的光刻胶；

在所述薄膜晶体管上方形成不透光导电金属层薄膜；

剥离剩余的光刻胶，在所述薄膜晶体管上方形成遮光片图案，所述钝化层过孔上方仍保留不透光导电金属层薄膜。

4.根据权利要求3所述的TFT阵列基板的制造方法，其特征在于，所述灰化工艺采用的气体中氧气和六氟化硫气体的体积比范围为10~50。

5.根据权利要求1所述的TFT阵列基板的制造方法，其特征在于，步骤S1具体包括：

在一衬底基板上形成横纵交叉分布的栅线和数据线，其中，所述栅线和数据线交叉限定的区域为像素单元区域；所述薄膜晶体管形成在所述像素单元区域内。

6.根据权利要求1所述的TFT阵列基板的制造方法，其特征在于，步骤S4具体包括：

在完成步骤S3的衬底基板上形成红色像素图案、绿色像素图案和蓝色像素图案，所述红色像素、绿色像素和蓝色像素组成所述彩色滤光片；

在所述彩色滤光片上方形成像素电极图案。

7.根据权利要求1所述的TFT阵列基板的制造方法，其特征在于，步骤S4具体包括：

在完成步骤S3的衬底基板上形成像素电极图案；

在所述像素电极图案上方形成红色像素图案、绿色像素图案和蓝色像素图案，所述红色像素、绿色像素和蓝色像素组成所述彩色滤光片。

8.一种采用权利要求1-7所述制造方法制造的TFT阵列基板，包括形成在一衬底基板上的薄膜晶体管、钝化层过孔、彩色滤光片和像素电极，其特征在于，其还包括位于所述薄膜晶体管上方的遮光片，且所述钝化层过孔上方具有与所述遮光片同材质的不透光导电金属层薄膜。

9.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置采用权利要求8所述的阵列基板。