[发明专利]用于铜互连的氮化钴层及它们的形成方法有效
| 申请号： | 201310057566.3 | 申请日： | 2008-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN103151335A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | R·G·高登;H·伯罕达里;金勋 | 申请（专利权）人： | 哈佛学院院长等 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;C23C16/34;C23C16/04;C23C16/455 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 王海宁 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 互连 氮化 它们 形成 方法 | ||
【权利要求书】：
1.在衬底上形成的集成电路互连结构，该互连结构包含：
位于限定互连结构的衬底表面上的保形的多晶态Co4N层；和
位于所述多晶态Co4N层上方的含铜导电层。
2.权利要求1的结构，其还包含在所述多晶态Co4N层和衬底之间的扩散阻挡层。
3.权利要求2的结构，其中所述扩散阻挡层选自氮化钽、碳化钽、氮化钨、碳化钨及其混合物。
4.根据权利要求1的互连结构，其中所述多晶态Co4N层是化学气相沉积的层。
5.根据权利要求2的互连结构，其中所述扩散阻挡层是化学气相沉积的层。
6.根据权利要求1的互连结构，其中所述含铜导电层的至少一部分是化学气相沉积的层。
7.根据权利要求1的互连结构，其中所述含铜导电层的至少一部分是电化学沉积的层。
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