[发明专利]用于等离子体处理装置的基片制程方法有效
| 申请号： | 201310057226.0 | 申请日： | 2013-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN104008945A | 公开（公告）日： | 2014-08-27 |
| 发明（设计）人： | 黄智林;席朝晖;杨平 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 等离子体 处理 装置 基片制程 方法 | ||
1.一种用于等离子体处理装置的基片制程方法，包括以下步骤：
提供待处理半导体基片，并装载至等离子体处理装置；
预设制程工艺参数；
检测所述等离子体处理装置的装载状态，据此确定调整系数；
提供各预设工艺参数的工艺参数调整因子，并根据所述预设工艺参数、工艺参数调整因子及调整系数，确认实际工艺参数；
根据实际工艺参数，对基片进行制程。
2.根据权利要求1所述的用于等离子体处理装置的基片制程方法，其特征在于，所述等离子体处理装置包括两个或两个以上的处理腔室。
3.根据权利要求2所述的用于等离子体处理装置的基片制程方法，其特征在于，所述等离子体处理装置的处理平台全部装载有待处理半导体基片时，调整系数为0；所述等离子体处理装置的处理平台部分装载有待处理半导体基片时，调整系数为1。
4.根据权利要求2所述的用于等离子体处理装置的基片制程方法，其特征在于，所述实际工艺参数=预设工艺参数+调整系数×工艺参数调整因子。
5.根据权利要求3或4所述的用于等离子体处理装置的基片制程方法，其特征在于，所述预设的等离子体处理工艺参数包括腔体压力、等离子体处理时间、射频功率、基片电流、基片电压。
6.根据权利要求5所述的用于等离子体处理装置的基片制程方法，其特征在于，所述各预设工艺参数的工艺参数调整因子中，至少一项不为0。
7.根据权利要求5所述的用于等离子体处理装置的基片制程方法，其特征在于，所述腔体压力的工艺参数调整因子为-10~10mTorr。
8.根据权利要求5所述的用于等离子体处理装置的基片制程方法，其特征在于，所述等离子体处理时间的工艺参数调整因子为-10~10s。
9.根据权利要求5所述的用于等离子体处理装置的基片制程方法，其特征在于，所述射频功率的工艺参数调整因子为-50~50W。
10.根据权利要求3或4所述的用于等离子体处理装置的基片制程方法，其特征在于，所述等离子体处理装置的装载状态，通过预编程工艺路线及处理顺序反馈至控制系统，或通过待处理基片运动传感器检测。
11.根据权利要求1所述的用于等离子体处理装置的基片制程方法，其特征在于，所述制程为等离子体刻蚀或等离子体化学气相沉积。
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