[发明专利]光刻工艺参数确定方法及装置

权利要求书

1.一种光刻工艺参数确定方法，其特征在于，包括：

在一张基板上形成多个不同膜厚的光刻胶区域；

在预设的曝光模式下对所述基板上的光刻胶进行曝光显影，并测量每一光刻胶区域显影图案对应的光刻指标参数；

确定所述光刻指标参数为最优时所对应的光刻胶膜厚和曝光模式。

2.根据权利要求1所述的光刻工艺参数确定方法，其特征在于，所述在一张基板上形成多个不同膜厚的光刻胶区域包括：

调整光刻胶供给装置的涂胶压力，在所述基板上形成多个不同膜厚的光刻胶区域。

3.根据权利要求1所述的光刻工艺参数确定方法，其特征在于，所述光刻指标参数包括：关键尺寸和半透区膜厚。

4.根据权利要求3所述的光刻工艺参数确定方法，其特征在于，所述在预设的曝光模式下对所述基板上的光刻胶进行曝光显影，并测量每一光刻胶区域显影图案对应的光刻指标参数包括：

以多个不同的曝光速度对所述基板上的光刻胶进行曝光显影，测量每一膜厚和每一曝光速度对应区域的光刻指标参数；

所述确定所述光刻指标参数为最优时所对应的光刻胶膜厚和曝光模式包括：

获取最优的光刻指标参数，并确定所述最优的光刻指标参数所对应的光刻胶膜厚和曝光速度。

5.根据权利要求3所述的光刻工艺参数确定方法，其特征在于，所述在预设的曝光模式下对所述基板上的光刻胶进行曝光显影，并测量每一光刻胶区域显影图案对应的光刻指标参数包括：

以预设的曝光速度对所述基板上的光刻胶进行曝光显影，测量每一膜厚光刻胶区域的光刻指标参数；

所述确定所述光刻指标参数为最优时所对应的光刻胶膜厚和曝光模式包括：

获取最优的光刻指标参数，并确定所述最优的光刻指标参数所对应的光刻胶膜厚。

6.一种光刻工艺参数确定装置，其特征在于，包括：

光刻胶涂覆模块，用于在一张基板上形成多个不同膜厚的光刻胶区域；

曝光显影模块，用于在预设的曝光模式下对所述基板上的光刻胶进行曝光显影；

测量模块，用于测量每一光刻胶区域显影图案对应的光刻指标参数；

处理模块，用于确定所述光刻指标参数为最优时所对应的光刻胶膜厚和曝光模式。

7.根据权利要求6所述的光刻工艺参数确定装置，其特征在于，所述光刻胶涂覆模块包括：

控制子模块，用于调整光刻胶供给装置的涂胶压力，以在所述基板上形成多个不同膜厚的光刻胶区域。

8.根据权利要求6所述的光刻工艺参数确定装置，其特征在于，所述光刻指标参数包括：关键尺寸和半透区膜厚。

9.根据权利要求8所述的光刻工艺参数确定装置，其特征在于，

所述曝光显影模块具体用于以多个不同的曝光速度对所述基板上的光刻胶进行曝光显影；

所述测量模块具体用于测量每一膜厚和每一曝光速度对应区域的光刻指标参数；

所述处理模块具体用于获取最优的光刻指标参数，并确定所述最优的光刻指标参数所对应的光刻胶膜厚和曝光速度。

10.根据权利要求8所述的光刻工艺参数确定装置，其特征在于，

所述曝光显影模块具体用于以预设的曝光速度对所述基板上的光刻胶进行曝光显影；

所述测量模块具体用于测量每一膜厚光刻胶区域的光刻指标参数；

所述处理模块具体用于获取最优的光刻指标参数，并确定所述最优的光刻指标参数所对应的光刻胶膜厚。