[发明专利]一种剥离侧墙制程的方法无效
| 申请号： | 201310055067.0 | 申请日： | 2013-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN103137560A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 景旭斌;李芳;刘文燕 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 剥离 侧墙制程 方法 | ||
1.一种剥离侧墙制程的方法，应用于一具有栅极结构的硅基板上，所述栅极结构包括栅极、侧墙和二氧化硅氧化层，所述二氧化硅氧化层覆盖所述栅极的顶部及其侧壁的表面，且该二氧化硅氧化层还部分覆盖所述硅基板的上表面，所述侧墙覆盖位于所述栅极两侧的所述二氧化硅氧化层的表面上，其特征在于，包括如下步骤：
制备氧化层，所述氧化层覆盖所述栅极结构的表面及所述硅基板暴露部分的上表面；
部分去除所述氧化层至所述侧墙表面；
去除所述侧墙；
去除剩余的氧化层和所述二氧化硅氧化层；
其中，覆盖所述侧墙表面上的氧化膜的厚度小于其余部分氧化膜的厚度。
2.如权利要求1所述剥离侧壁制程的方法，其特征在于，采用快速高温氧化工艺制备所述氧化层。
3.如权利要求2所述剥离侧壁制程的方法，其特征在于，在800～900℃温度条件下进行所述快速高温氧化工艺。
4.如权利要求1所述剥离侧壁制程的方法，其特征在于，采用磷酸去除所述侧墙。
5.如权利要求1所述剥离侧壁制程的方法，其特征在于，覆盖所述侧墙表面上的氧化膜的厚度小于5
6.如权利要求1所述剥离侧壁制程的方法，其特征在于，所述其余部分氧化膜的厚度为20～40
7.如权利要求1所述剥离侧壁制程的方法，其特征在于，采用氢氟酸去除剩余的氧化层和所述二氧化硅氧化层。
8.如权利要求1所述剥离侧壁制程的方法，其特征在于，所述侧壁的材质为氮化硅。
9.如权利要求1所述剥离侧壁制程的方法，其特征在于，所述硅基板是CMOS器件的硅基板。
10.如权利要求1所述剥离侧壁制程的方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺和源漏离子注入工艺形成所述具有栅极结构的硅基板。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
