[发明专利]一种根据晶圆缺陷聚集位置判定问题制程范围的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种寻找问题制程范围的方法，尤其涉及一种根据晶圆缺陷聚集位置判定问题制程范围的方法。

背景技术

如今半导体制造业的发展可谓日新月异，晶圆的生产周期越来越短，在生产周期缩短的同时，需要保证所生产的晶圆具有较高的成品率，在这样的情况下，晶圆缺陷检测的及时性和准确性就显得尤为重要。在确定了缺陷晶圆后如果能够通过某种方法来快速的找到相关的问题制程或制程段，那么问题的影响就能够得到降低。

目前对于问题制程的寻找方法一般是对各个可疑机台加强检测，安排后续的产品逐站进行扫描。这样的做法会增加过多的人力和物理，而且寻找出问题制程机台的成功率也较低。

中国专利（申请号：CN101174610B）公开了一种晶圆以及利用该晶圆来识别错误制程的方法，该专利公开了一种晶圆，其边缘有第一缺口，其中在晶圆的边缘至少还设有第二缺口，第二缺口与第一缺口位置相差90度，形状不同，且开口高度相等。同时该专利还公开了一种利用晶圆识别错误制程的方法，至少两个晶圆通过该制程，步骤为：第一片晶圆通过该晶圆上的第一缺口定位，通过该制程；将第二片晶圆旋转90度，通过该晶圆上的第二缺口定位，通过该制程；通过第一缺口定位检测第一片晶圆上的芯片参数；通过第二缺口定位检测第二片晶圆上的芯片参数；对比两个晶圆上芯片参数的失效模式来判断该制程是否出现错误。通过该方法来判断错误制程的实质还是需要先确定一些相对可疑的制程机台，然后通过利用设有两个定位缺口的晶圆进行检查，逐个判断制程的错误与否。可见，该专利公开的方法对于提高寻找错误制程的速度还是有限的。

中国专利（申请号：CN101378024B）中公开了一种晶圆缺陷的检测方法，设计半导体检测领域。该方法包括如下步骤：选定检测区域，该检测区域是以晶圆中心为圆心，半径是晶圆半径十分之一至五分之一的圆形区域；在该检测区域内选取若干个呈放射性均匀分布的检测点，检测点大于49个；对每一检测点进行分析，找出缺陷的位置。该专利所公开的方法通过在较小的区域里设置较多的检测点来检测晶圆中心区域出现的细小缺陷，从而及时改善晶圆的生产条件，调高晶圆的成品率。该方法虽然能够提高晶圆的成品率，但是依赖分布检测点的方式来实现的，方法和过程相对来说还是比较繁琐。

发明内容

鉴于上述问题，本发明提供一种根据晶圆缺陷聚集位置判定问题制程段的方法。

本发明解决技术问题所采用的技术方案为：

一种根据晶圆缺陷聚集位置判定问题制程范围的方法，应用于缺陷集中分布的多个缺陷晶圆上，其中，

建立所述缺陷晶圆的凹口方向数据库，所述凹口方向数据库包括每个所述缺陷晶圆的凹口方向的数据及该缺陷晶圆进行过的制程的数据；

分析、比对所述凹口方向数据库中的数据，获取所述缺陷晶圆两两之间凹口方向夹角的数据；

记录每个所述缺陷晶圆的编号，建立编号数据库；

分析并记录每一片缺陷晶圆的缺陷位置，建立缺陷数据库；

根据所述编号数据库中的数据，获取并比对每个所述缺陷晶圆在所述凹口方向夹角数据库中的数据和缺陷数据库中的数据；

根据上述的制程的数据，逐一判断每个制程中，上述凹口方向夹角数据与获取的所述缺陷数据之间是否匹配；

若匹配，则该制程确定为问题制程段的开始制程；

若不匹配，则该制程确定为问题制程段的结束制程。

所述根据晶圆缺陷聚集位置判定问题制程范围的方法，其中，所述缺陷数据库中包括缺陷矢量的数据；

所述根据晶圆缺陷聚集位置判定问题制程范围的方法，其中，所述缺陷矢量是设定所述缺陷晶圆的凹口的开口端朝向同一方向，并以所有缺陷晶圆的凹口的开口端朝向的方向为基准，以每个缺陷晶圆的中心为起点，以该缺陷晶圆上的缺陷中心为终点所构成的矢量；

所述根据晶圆缺陷聚集位置判定问题制程范围的方法，其中，所述缺陷中心是缺陷区域的几何中心。

所述根据晶圆缺陷聚集位置判定问题制程范围的方法，其中，所述缺陷矢量数据库还包括缺陷矢量夹角的数据，该缺陷矢量夹角的数据是将所有的所述缺陷晶圆之间进行两两对比后得到的缺陷矢量的夹角的数据。

所述根据晶圆缺陷聚集位置判定问题制程范围的方法，其中，所述的缺陷晶圆的凹口同一朝向为朝向正下方。

所述根据晶圆缺陷聚集位置判定问题制程范围的方法，其中，根据所述缺陷矢量夹角与所述凹口方向夹角是否相等来判断所述凹口方向夹角数据与获取的所述缺陷数据之间是否匹配；