[发明专利]电荷泵电路

权利要求书

1.一种电荷泵电路，具有一电压输出端，该电荷泵电路包括：

一电压源模块，包括一正压电荷泵，该电压源模块经配置以提供一驱动电压；

一反馈电路，耦接该电压输出端，并提供关联于该电压输出端的一反馈电压；

一比较器，耦接该反馈电路与该电压源模块，比较一参考电压与该反馈电压而产生一误差信号；

一第一PMOS晶体管，其源极耦接该驱动电压，其漏极耦接该电压输出端；

一第二PMOS晶体管，其源极耦接该驱动电压，其漏极耦接该电压输出端；以及

一控制电路，耦接该电压源模块、该比较器、该第一PMOS晶体管与该第二PMOS晶体管，该控制电路经配置以在时域上根据一振荡信号至少两次取样于该误差信号而产生一检测信号，通过该检测信号与该误差信号来切换该第一PMOS晶体管，且通过该误差信号来切换该第二PMOS晶体管，从而稳定该电压输出端的电压电平。

2.如权利要求1所述的电荷泵电路，其中该电压源模块包括：

一振荡器，用以产生该振荡信号；

一或门，接收该振荡信号与该误差信号；

一时脉产生器，用以依据该振荡信号或该误差信号而产生一时脉信号；以及

该正压电荷泵，依据该时脉信号而产生该驱动电压。

3.如权利要求1所述的电荷泵电路，其中该反馈电路包括：

一PMOS晶体管串，耦接于该电压输出端与一接地端之间。

4.如权利要求3所述的电荷泵电路，其中该PMOS晶体管串中的每一PMOS晶体管的漏极耦接其本身的栅极。

5.如权利要求1所述的电荷泵电路，其中该比较器的反相输入端耦接该参考电压，该比较器的非反相输入端耦接该反馈电压。

6.如权利要求1所述的电荷泵电路，其中该第一PMOS晶体管相对于该第二PMOS晶体管具有相对宽的通道宽度。

7.如权利要求6所述的电荷泵电路，其中该第一PMOS晶体管与该第二PMOS晶体管的通道宽度分别为90微米与10微米。

8.如权利要求1所述的电荷泵电路，其中该控制电路包括：

一检测电路，接收该振荡信号与该误差信号，该检测电路经配置根据该振荡信号的上升边缘与下降边缘分别与该误差信号进行取样；

一第一开关控制单元，根据该检测信号与该误差信号来切换该第一PMOS晶体管；以及

一第二开关控制单元，根据该误差信号来切换该第二PMOS晶体管。

9.如权利要求8所述的电荷泵电路，其中该检测电路包括：

一第一触发器，其输入端接收该检测信号，其时脉输入端接收该振荡信号；

一第二触发器，其输入端接收该检测信号，其反相时脉输入端接收该振荡信号；以及

一或非门，其第一输入端、第二输入端分别耦接该第一触发器与该第二反相器的输出端，该或非门的输出端输出该检测信号。

10.如权利要求1所述的电荷泵电路，其中当该控制电路判断出该电压输出端的电压电平在一预设涟波范围内时，则关闭该第一PMOS晶体管。