[发明专利]一种阵列基板的制作方法、阵列基板和显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是指一种阵列基板的制作方法、阵列基板和显示装置。

背景技术

在阵列基板的制作过程中，通常在像素电极形成之前会形成一层平坦化层，以减少基板上的段差，使得像素电极更易形成且减少不良，同时为了减小像素电极与其它导电金属层之间形成的寄生电容，该平坦化层一般都制作成厚度较大的层。但是，在制作平坦化层上的过孔时，如像素电极与TFT漏电极连接的过孔，或者绑定驱动电路的绑定区域的过孔等，需要对平坦化层进行曝光处理，由于平坦化层比较厚，为了获得预期的过孔尺寸，需要较高的曝光能量，从而降低了曝光速度，影响生产效率。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明提供一种阵列基板的制作方法、阵列基板和显示装置，可以局部减小平坦化层的厚度，从而减少过孔形成所需要的曝光能量，进一步增加曝光速度，提高生产效率。

本发明的实施例提供一种阵列基板的制作方法，包括：

在阵列基板上形成垫高层，所述垫高层位于平坦化层下方，且对应于所述平坦化层的过孔的位置，其中，所述平坦化层为热熔性材料形成。

进一步的，所述平坦化层为亚克力材料形成。

具体的，所述阵列基板的制作方法，包括：

提供一衬底基板，在所述衬底基板上形成TFT；在所述TFT上方形成平坦化层，并在所述平坦化层上形成有过孔；在阵列基板上形成垫高层，所述垫高层位于所述衬底基板上方且所述平坦化层下方，且所述垫高层对应于所述平坦化层的过孔的位置。

进一步的，所述在衬底基板上形成TFT的步骤具体包括：在所述衬底基板上形成栅极层、栅绝缘层、有源层、源漏电极层；

所述在阵列基板上形成垫高层的步骤具体包括：在所述衬底基板上或者在所述栅极层、栅绝缘层、有源层、源漏电极层中任意一层上形成垫高层。

进一步的，所述阵列基板的制作方法还包括：

在所述平坦化层上方形成像素电极层，所述像素电极通过所述平坦化层上的过孔与所述TFT漏电极连接。

进一步的，所述在衬底基板上形成栅极层、栅绝缘层、有源层、源漏电极层的步骤，还包括：在所述阵列基板的绑定驱动电路的周边区域中，与所述栅极同层形成绑定栅线，与所述源漏电极同层形成绑定数据线；

所述绑定栅线和所述绑定数据线分别通过平坦化层上的过孔与驱动电路绑定。

具体的，在所述TFT上方形成平坦化层的步骤包括：

在形成有垫高层的所述衬底基板上涂覆亚克力材料层；

对所述亚克力材料层进行低压干燥和烘烤；

对低压干燥和烘烤后的所述亚克力材料层进行曝光；

对曝光后的所述亚克力材料层进行显影和烘烤。

本发明的实施例还提供一种阵列基板，包括平坦化层，还包括垫高层，所述垫高层位于平坦化层下方，且对应于所述平坦化层的过孔处，其中，所述平坦化层由热熔性材料形成。

具体的，所述热熔性材料为亚克力材料。

具体的，所述阵列基板，包括：

衬底基板以及形成于所述衬底基板上的TFT；

形成在所述衬底基板上方的垫高层；

形成在所述垫高层上方的平坦化层，所述平坦化层上具有过孔，所述垫高层对应所述平坦化层的过孔的位置。

进一步的，所述TFT包括栅极、栅绝缘层、有源层、源漏电极，所述垫高层位于所述衬底基板上或者位于栅极层、栅绝缘层、有源层、源漏电极层中的任意一层上。

进一步的，所述阵列基板还包括：像素电极层，所述像素电极层位于平坦化层上方，所述像素电极通过所述平坦化层上的过孔与TFT漏电极连接。

进一步的，所述阵列基板还包括钝化层，所述钝化层位于所述平坦化层的下方，所述钝化层具有与所述平坦化层的过孔上下相通的过孔，所述像素电极与TFT漏电极通过所述平坦化层的过孔和钝化层的过孔连接。

进一步的，所述阵列基板还包括：在所述阵列基板的绑定驱动电路的周边区域，与源漏电极同层形成的绑定数据线，以及与栅极同层形成的绑定栅线；

所述绑定数据线与所述绑定栅线分别通过所述平坦化层上的过孔与驱动电路连接。

本发明的实施例还提供一种显示装置，包括如上所述的阵列基板。

本发明的上述技术方案的有益效果如下：