[发明专利]有源桥式整流有效
| 申请号: | 201310052899.7 | 申请日: | 2013-02-18 |
| 公开(公告)号: | CN103259428B | 公开(公告)日: | 2017-03-01 |
| 发明(设计)人: | 杰弗里·林恩·希斯;柯克·苏;约翰·史汀曼 | 申请(专利权)人: | 凌力尔特有限公司 |
| 主分类号: | H02M7/219 | 分类号: | H02M7/219 |
| 代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 美国加州米*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 有源 整流 | ||
1.一种用于将交流输入电压转换为直流输出电压的系统,包括:
第一晶体管和第二晶体管,所述第一晶体管和所述第二晶体管设置在第一晶体管对中;
第三晶体管和第四晶体管,所述第三晶体管和所述第四晶体管设置在第二晶体管对中,以及
控制器,所述控制器响应于输入电压和输出电压以控制所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管和所述第四晶体管的开关;
所述控制器包括交流极性检测电路,所述交流极性检测电路用于确定所述交流输入电压的极性以生成使所述第一晶体管开启的第一使能信号。
2.如权利要求1所述的系统,其中,所述交流极性检测电路构造用于确定所述交流输入电压的极性以进一步生成第二使能信号以使得所述第二晶体管开启,所述控制器构造用于当所述第一晶体管开启时防止所述第二晶体管开启。
3.如权利要求2所述的系统,其中,所述控制器还包括晶体管控制电路,所述晶体管控制电路响应于所述第一使能信号以能够控制所述第三晶体管。
4.如权利要求3所述的系统,其中,所述晶体管控制电路响应于所述第二使能信号以能够控制所述第四晶体管。
5.如权利要求4所述的系统,其中,所述晶体管控制电路还构造用于基于跨过所述第三晶体管的电压控制所述第三晶体管,以及用于基于跨过所述第四晶体管的电压控制所述第四晶体管。
6.如权利要求5所述的系统,其中,所述晶体管控制电路还构造用于当所述交流输入电压与所述直流输出电压之间的差值超过调节阈值时,调节施加到所述第三晶体管的控制电压。
7.如权利要求6所述的系统,其中,所述晶体管控制电路还构造用于当所述交流输入电压与所述直流输出电压之间的差值超过开启阈值时,开启所述第三晶体管,所述开启阈值高于所述调节阈值。
8.如权利要求7所述的系统,其中,所述晶体管控制电路还构造用于当所述交流输入电压与所述直流输出电压之间的差值低于关闭阈值时,关闭所述第三晶体管,所述关闭阈值低于所述调节阈值。
9.如权利要求8所述的系统,其中,所述晶体管控制电路构造用于产生锁定信号以防止当所述第三晶体管开启时所述第四晶体管开启。
10.如权利要求9所述的系统,其中,所述晶体管控制电路构造用于当所述交流输入电压与所述直流输出电压之间的差值超过锁定阈值时产生所述锁定信号。
11.如权利要求10所述的系统,其中,所述锁定阈值低于所述调节阈值。
12.如权利要求1所述的系统,其中,所述晶体管为金属氧化物半导体场效应晶体管。
13.一种用于将交流输入电压转换为直流输出电压的系统,包括:
第一晶体管和第二晶体管,所述第一晶体管和所述第二晶体管设置在第一晶体管对中;
第三晶体管和第四晶体管,所述第三晶体管和所述第四晶体管设置在第二晶体管对中,以及
控制器,所述控制器响应于所述交流输入电压和所述直流输出电压以控制所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管和所述第四晶体管的开关;
所述控制器包括用于基于所述交流输入电压和所述直流输出电压之间的差值开启所述第三晶体管的晶体管控制电路,所述晶体管控制电路构造用于产生第一锁定信号,所述第一锁定信号产生以防止当所述第三晶体管开启时所述第四晶体管开启。
14.如权利要求13所述的系统,其中,所述晶体管控制电路构造用于产生第二锁定信号,所述第二锁定信号产生以防止当所述第四晶体管开启时所述第三晶体管开启。
15.如权利要求13所述的系统,其中,所述晶体管控制电路构造用于当所述交流输入电压和所述直流输出电压之间的差值超过开启阈值时,开启所述第三晶体管,所述晶体管控制电路还构造用于当所述交流输入电压和所述直流输出电压之间的差值超过锁定阈值时,产生所述第一锁定信号,所述锁定阈值低于所述开启阈值。
16.如权利要求13所述的系统,其中,所述控制器还包括交流极性检测电路,所述交流极性检测电路用于基于所述交流输入信号的极性产生第一使能信号和第二使能信号,产生的所述第一使能信号和第二使能信号分别开启所述第一晶体管和所述第二晶体管。
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