[发明专利]有机发光二极管显示装置及其制造方法有效
申请号: | 201310052848.4 | 申请日: | 2013-02-18 |
公开(公告)号: | CN103996689B | 公开(公告)日: | 2017-06-16 |
发明(设计)人: | 蔡奇哲;林柏青;吴威谚;许惠珍 | 申请(专利权)人: | 群创光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人: | 骆希聪 |
地址: | 中国台湾新竹科学工*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示装置 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明是有关于一种有机发光二极管显示装置及其制造方法,且特别是关于一种具有良好阻水氧效果的有机发光二极管显示装置及其制造方法。
背景技术
随着显示科技的进步,各式显示器快速的发展,特别是可挠式显示器相关的研究也与日俱增。其中,有机发光二极管显示器已成为显示科技的研究重点之一,因而将有机发光二极管设置于可挠式显示器中的研究与设计亦快速发展。
然而,有机发光二极管很容易受到水气与氧气的影响而氧化,进而影响其运作功能。基于显示器的可挠式的需求,不易采用已经阻水氧效果良好的玻璃框胶(frit)作为阻障结构,因此可挠式有机发光二极管显示器的阻水氧的研究便成为相当大的挑战。因此,如何提供一种具有良好阻水氧功能的可挠式有机发光二极管显示器,乃为相关业者努力的课题之一。
发明内容
本发明提出一种有机发光二极管显示装置及其制造方法。有机发光二极管显示装置中,金属围墙接合两个软性基板并围绕有机发光二极管元件,形成侧面方向的阻水氧结构,搭配分别位于有机发光二极管元件上下方的阻障层,而能够大幅提高整体显示装置的阻水气效果。
根据本发明的一方面,提出一种有机发光二极管显示装置。有机发光二极管显示装置包括一第一软性(flexible)基板、一第二软性基板、一第一阻障(barrier)层、一第二阻障层、一有机发光二极管元件以及一金属围墙(metal enclosing wall)。第一阻障层设置于第一软性基板上,第二阻障层设置于第二软性基板上。有机发光二极管元件设置于第一阻障层和第二阻障层之间。金属围墙接合第一软性基板和第二软性基板,金属围墙围绕有机发光二极管元件。
根据本发明的另一方面,提出一种有机发光二极管显示装置的制造方法。有机发光二极管显示装置的制造方法包括以下步骤。提供一第一软性基板和一第二软性基板。设置一第一阻障层于第一软性基板上。设置一第二阻障层于第二软性基板上。设置一有机发光二极管元件于第一软性基板上。分别形成一第一图案化金属层于第一软性基板上以及一第二图案化金属层于第二软性基板上。对组第一软性基板与第二软性基板。加热第一图案化金属层及第二图案化金属层以形成一金属围墙,金属围墙接合第一软性基板和第二软性基板,金属围墙围绕有机发光二极管元件。
根据本发明的再一方面,提出一种有机发光二极管显示装置的制造方法。有机发光二极管显示装置的制造方法包括以下步骤。提供一第一软性基板和一第二软性基板。设置一第一阻障层于第一软性基板上。设置一第二阻障层于第二软性基板上。设置一有机发光二极管元件于第一软性基板上。分别形成一第一金属层于第一软性基板上以及一第二金属层于第二软性基板上。形成一第三金属层于第一金属层和第二金属层之间,其中第三金属层的材质系与第一金属层和第二金属层的材质不同。提供一封装填料包覆有机发光二极管元件。对组第一软性基板与第二软性基板。加热第一金属层、第二金属层及第三金属层以形成一金属围墙,金属围墙接合第一软性基板和第二软性基板,金属围墙围绕有机发光二极管元件。
附图说明
为让本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂,以下结合附图对本发明的具体实施方式作详细说明,其中:
图1A绘示依照本发明一实施例的有机发光二极管显示装置的示意图。
图1B绘示图1A的半导体结构沿剖面线1B-1B’的剖视图。
图2绘示依照本发明另一实施例的有机发光二极管显示装置的示意图。
图3绘示依照本发明又一实施例的有机发光二极管显示装置300的示意图。
图4A至图4F绘示依照本发明的一实施例的一种有机发光二极管显示面板的制造方法示意图。
图5A至图5D绘示依照本发明的另一实施例的一种有机发光二极管显示装置的制造方法示意图。
主要元件符号说明:
100、200、300、400:有机发光二极管显示装置
110:第一软性基板
120:第一阻障层
130:第二软性基板
140:第二阻障层
150:有机发光二极管元件
160、260:金属围墙
160a、160b:表面
170:第三阻障层
180:封装填料
191:彩色滤光片
193:薄膜晶体管层
261:第一金属层
262、264:介面
263:第二金属层
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的