[发明专利]磁头、头驱动控制装置、磁存储装置、控制方法

权利要求书

1.一种微波辅助记录磁头，其具有：产生用于对垂直磁记录介质进行写入的记录磁场的记录磁极部、以及产生高频磁场的高频磁场振荡元件，

该微波辅助记录磁头的特征在于，

所述记录磁极部形成有使主要的记录磁场成分集中在其记录间隙部的磁芯，

所述高频磁场振荡元件设置在所述记录间隙内。

2.根据权利要求1所述的微波辅助记录磁头，其特征在于，

在以记录电流使所述磁芯励磁时能够进行记录的垂直磁记录介质上进行了静态记录时的该垂直磁记录介质磁化反转区域呈所述记录间隙的形状。

3.根据权利要求1所述的微波辅助记录磁头，其特征在于，

在所述磁芯中，后侧记录磁极的磁道宽度为40～250nm，间隙深度为40～700nm，记录间隙长为20～200nm。

4.根据权利要求1所述的微波辅助记录磁头，其特征在于，

所述磁芯的磁轭长为0.5μm以上、且4μm以下。

5.根据权利要求1所述的微波辅助记录磁头，其特征在于，

所述高频磁场振荡元件包括：隔着由非磁性体构成的结合层将两层高频磁场振荡层层叠而得的构成体、中间层、以及自旋注入层，电流从所述自旋注入层侧经由所述中间层向所述构成体侧流动。

6.根据权利要求5所述的微波辅助记录磁头，其特征在于，

所述结合层的膜厚为0.1nm以上且0.7nm以下、1.2nm以上且1.6nm以下、2.7nm以上且3.2nm以下中的任一种。

7.根据权利要求1所述的微波辅助记录磁头，其特征在于，

所述高频磁场振荡元件包括：由在面内方向具有易磁化轴的磁性膜构成的高频磁场振荡层、非磁性中间层、以及自旋注入层，

所述自旋注入层由使磁化在膜面的面内方向有效地进行取向的磁性膜构成，并且所述自旋注入层以使该磁化与所述高频磁场振荡层的磁化反铁磁性地耦合的方式隔着所述非磁性中间层与所述高频磁场振荡层层叠，

使电流从所述高频磁场振荡层侧向所述自旋注入层侧流动，由此使所述高频磁场振荡层的磁化和所述自旋注入层的磁化边保持反平行状态边以高速旋转。

8.根据权利要求1所述的微波辅助记录磁头，其特征在于，

所述高频磁场振荡元件的宽度为3nm～100nm。

9.一种微波辅助记录磁头用悬架，其具有10根以上的布线，其特征在于，

设有如下布线图案：至少将两根记录用布线、两根再现用布线分别相邻地组合成一个成对布线，当两根微波辅助元件驱动用布线与所述记录用布线或所述再现用布线相邻时，在接地线侧相邻，根据需要将两根TFC驱动用布线、或者两根微波辅助元件驱动用布线分割并且将接地线侧配置在上述成对布线之间。

10.一种磁头万向架组件，其在权利要求9所述的微波辅助记录磁头用悬架上搭载有连接权利要求1所述的微波辅助记录磁头的滑块。

11.一种磁存储装置，其特征在于，包括：

微波辅助记录磁头，该微波辅助记录磁头包括：形成有使主要的记录磁场成分集中在记录间隙部的磁芯的记录磁极、设置在所述记录间隙内的高频磁场振荡元件、从垂直磁记录介质读取信息的磁再现元件、及对所述高频磁场振荡元件和所述垂直磁记录介质的空隙进行调整的TFC元件；

垂直磁记录介质，其在只有来自所述记录磁极的磁场中无法实现充分的记录；

对基于所述记录磁极及所述高频磁场振荡元件的记录动作以及基于所述磁再现元件的再现动作进行控制、处理的机构；以及

对所述TFC元件的动作进行控制的TFC控制机构。

12.根据权利要求11所述的磁存储装置，其特征在于，

至少在所述记录动作时将比能够实现向所述垂直磁记录介质的记录的下限值小的记录电流提供给所述磁芯，

至少在制造工序中使所述记录电流、所述高频振荡元件的驱动电流、及向所述TFC元件提供的电力的各自的值调整为使该磁存储装置的规定区域的记录再现特性成为最优化的值。