[发明专利]在衬底表面上的等离子体激活的保形膜沉积的方法

权利要求书

1.一种在衬底表面沉积膜的方法，其包括：

将衬底提供至反应室中；

从由二-叔-丁基二叠氮基硅烷、三（二甲胺基）甲硅烷基叠氮化物、以及双（叔-丁酰肼）二乙基硅烷组成的前体组中选择含硅反应物；

将处于气相的所述含硅反应物引入到所述反应室中；以及

将处于气相的第二反应物引入到所述反应室中。

2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

在能让所述含硅反应物吸附到所述衬底表面的条件下引入所述含硅反应物；以及

将所述衬底表面暴露于等离子体以驱动所述含硅反应物和所述第二反应物之间的在所述衬底表面上的反应，从而形成所述膜。

3.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括在所述含硅反应物被吸附到所述衬底表面上并且在没有事先将所述含硅反应物清扫出所述反应室时将所述第二反应物引入到所述反应室。

4.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括使所述第二反应物以恒定的流率、非恒定的流率或者断续的流率中的一种流率流到所述衬底表面。

5.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述膜包括SiN;

所述膜形成保形结构；以及

所述膜的沉积在小于或者等于400℃的温度进行。

6.一种在衬底表面沉积膜的方法，其包括：

(a)将衬底提供至反应室中；

(b)从由二-叔-丁基二叠氮基硅烷、双（乙基甲基胺基）硅烷、双（二异丙基氨基）硅烷、双（叔-丁酰肼）二乙基硅烷、三（二甲胺基）甲硅烷基叠氮化物、三（二甲胺基）甲硅烷基氨化物、三叠氮乙基硅、二异丙基氨基硅烷、以及六（二甲基胺基）二硅氮烷组成的前体组中选择含硅反应物；

(c)在能让所述含硅反应物被吸附到所述衬底表面的条件下将处于气相的所述含硅反应物引入到所述反应室中；

(d)在所述含硅反应物被吸附到所述衬底表面时将处于气相的第二反应物引入所述反应室，其中在没有事先将所述含硅反应物清扫出所述反应室时将所述第二反应物引入；以及

(e)将所述衬底表面暴露于等离子体以驱动所述含硅反应物和所述第二反应物之间的在所述衬底表面上的反应，从而形成所述膜。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，在所述含硅反应物和所述第二反应物中的至少一种被暴露于所述衬底处于气相时点燃所述等离子体。

8.根据权利要求6所述的方法，其中，所述含硅反应物和所述第二反应物处于所述气相时不相互反应。

9.根据权利要求6所述的方法，其中：

所述膜包括SiN膜；以及

所述膜的沉积在小于或者等于400℃的温度进行。

10.根据权利要求6所述的方法，其进一步包括在(d)过程中使所述第二反应物以非恒定的流率流到所述衬底表面。

11.根据权利要求6所述的方法，其进一步包括在(e)之前将处于气相的所述第二反应物清扫出。

12.根据权利要求6所述的方法，其进一步包括在所述清扫阶段之后但在(e)之前将所述衬底表面暴露于所述第二反应物。

13.根据权利要求6所述的方法，其中所述含硅反应物和所述第二反应物共存于气相状态，并且其中所述含硅反应物和所述第二反应物直到在(e)中暴露于等离子体时，才明显地反应。

14.根据权利要求6所述的方法，其中在(e)中形成的所述膜形成保形结构。

15.根据权利要求6所述的方法，其进一步包括，在(e)后，通过化学气相沉积在所述膜的一部分上直接沉积另外的膜。

16.根据权利要求6所述的方法，其进一步包括使所述第二反应物以恒定的流率、非恒定的流率或者断续的流率中的一种流率流到所述衬底表面。