[发明专利]电子束描绘装置以及电子束描绘方法

权利要求书

1.一种电子束描绘装置，具有：工作台，承载试样；电子镜筒，配置有射出电子束的电子枪和具备在所述电子束的轴向上排列的电极的电磁透镜；以及屏蔽板，设于所述工作台与所述电子镜筒之间，遮挡所述电子束向所述试样照射而产生的反射电子或者2次电子，所述电子束描绘装置的特征在于，

所述电磁透镜是配置于所述屏蔽板的正上方并改变所述电子束的焦点位置的静电透镜，

所述电子束描绘装置具有对所述静电透镜始终施加负的电压的电压供给单元。

2.根据权利要求1所述的电子束描绘装置，其特征在于，从所述电压供给单元对所述静电透镜施加0V到－250V的范围内的负的电压。

3.根据权利要求2所述的电子束描绘装置，其特征在于，从所述电压供给单元对所述静电透镜施加平均－100V到－200V的负的电压。

4.根据权利要求1所述的电子束描绘装置，其特征在于，具有：

第一光阑，成型从所述电子枪射出的电子束；

第二光阑，进一步成型透射了所述第一光阑的电子束；

照明透镜，将所述电子束照明到所述第一光阑；

投影透镜，将透射了所述第一光阑的电子束投影到所述第二光阑；以及

物镜，使透射了所述第二光阑的电子束的焦点一致，

所述照明透镜、所述投影透镜以及所述物镜均为电磁透镜，

所述静电透镜配置于所述物镜与所述屏蔽板之间。

5.一种电子束描绘装置，具有：工作台，承载试样；电子镜筒，配置有射出电子束的电子枪和具备在所述电子束的轴向上排列的电极的电磁透镜；以及屏蔽板，设于所述工作台与所述电子镜筒之间，遮挡所述电子束向所述试样照射而产生的反射电子或者2次电子，所述电子束描绘装置的特征在于，

所述电磁透镜是配置于所述屏蔽板的正上方并改变所述电子束的焦点位置的静电透镜，

所述电子束描绘装置具有：

制动电极，配置于所述静电透镜的正上方，或者，配置为构成所述静电透镜的电极的一部分；以及

电压供给单元，对所述制动电极施加负的电压。

6.根据权利要求5所述的电子束描绘装置，其特征在于，所述电压供给单元对所述制动电极持续施加恒定的负的电压。

7.根据权利要求5所述的电子束描绘装置，其特征在于，具有：

第一光阑，成型从所述电子枪射出的电子束；

第二光阑，进而成型透射了所述第一光阑的电子束；

照明透镜，将所述电子束照明到所述第一光阑；

投影透镜，将透射了所述第一光阑的电子束投影到所述第二光阑；以及

物镜，使透射了所述第二光阑的电子束的焦点一致，

所述照明透镜、所述投影透镜以及所述物镜均为电磁透镜，

所述静电透镜配置于所述物镜与所述屏蔽板之间。

8.一种电子束描绘方法，从配置于电子镜筒内的电子枪射出电子束，在承载于工作台上的试样之上描绘规定的图案，所述电子束描绘方法的特征在于，

对在所述电子束的轴向上排列电极而改变所述电子束的焦点位置的静电透镜、或者配置于所述静电透镜的正上方的制动电极的任一方，始终施加负的电压。

9.根据权利要求8所述的电子束描绘方法，其特征在于，在所述工作台与所述电子镜筒之间，配置遮挡所述电子束向所述试样照射而产生的反射电子或者2次电子的屏蔽板。

10.根据权利要求8所述的电子束描绘方法，其特征在于，具有：

利用照明透镜将从所述电子枪射出的电子束照明到第一光阑的工序；

利用投影透镜将透射了所述第一光阑的电子束投影到第二光阑的工序；

利用物镜使透射了所述第二光阑的电子束的焦点一致的工序；以及

经由所述静电透镜将透射了所述物镜的电子束照射到所述试样的工序。

11.根据权利要求8所述的电子束描绘方法，其特征在于，对所述静电透镜施加0V到－250V的范围内的负的电压。

12.根据权利要求11所述的电子束描绘方法，其特征在于，对所述静电透镜施加平均－100V到－200V的负的电压。