[发明专利]石墨烯/氢氧化钴-铁氰化钾/氢氧化钾超级电容器储能电极体系的制备方法有效
| 申请号: | 201310051022.6 | 申请日: | 2013-02-16 |
| 公开(公告)号: | CN103093974A | 公开(公告)日: | 2013-05-08 |
| 发明(设计)人: | 郑伟涛;赵翠梅;王欣;王浩翔;张恒彬 | 申请(专利权)人: | 吉林大学 |
| 主分类号: | H01G11/86 | 分类号: | H01G11/86;H01G11/32 |
| 代理公司: | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人: | 朱世林;王寿珍 |
| 地址: | 130012 吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 石墨 氢氧化 氰化钾 氢氧化钾 超级 电容器 电极 体系 制备 方法 | ||
1.一种石墨烯/氢氧化钴-铁氰化钾/氢氧化钾超级电容器储能电极体系的制备方法,其特征在于:
所用固体电极材料为石墨烯/氢氧化钴,所用电解液为铁氰化钾和氢氧化钾的混合电解液,实现固体电极和电解液同时提供赝电容,具体步骤包括:
步骤A:将基底材料置于真空装置中,在保护气体氩气氛围下加热至反应温度,待温度达到反应温度后,通入反应气体,保温一段时间,使气体混合均匀;
步骤B:利用等离子体增强化学气相沉积法,调整反应气压,设定射频功率及电离时间,在衬底上沉积石墨烯,使碳源气体、氩气在射频电源的作用下离化、分解成为等离子体,通过化学反应,最终在基底上沉积少层石墨烯;
步骤C:反应结束后,停止通入反应气体,继续通保护气体,冷却至室温;
步骤D:将沉积少层石墨烯的基底浸入装有硝酸钴电解液的电解槽中,并将电解槽置于恒温水浴槽内,升温至预定反应温度时,保温一段时间,使电化学沉积系统维持恒温;
步骤E:将恒压恒流电源电位或电流调整至实验所需数值,在一定浓度的硝酸钴电解液中,按实验预定沉积电量进行电沉积;电沉积完毕后,用去离子水清洗电极表面多次,自然晾干,即可得到石墨烯/氢氧化钴电极;
步骤F:铁氰化钾/氢氧化钾混合水溶液为电解液,以石墨烯/氢氧化钴为工作电极,铂片作为对电极,饱和甘汞电极作为参比电极,进行电化学性能测试。
2.如权利要求书1所述的一种石墨烯/氢氧化钴电化学超级电容器电极材料的制备方法,其特征在于:
步骤A中,所述基底材料选自泡沫镍、多孔钛、不锈钢网、镍片、钛片或铁片常用衬底材料;所述保护气体氩气流速10~40sccm,压强为100~500Pa;所述反应气体为碳源气体,所述反应温度为600~900℃;所述保温时间为5~30min。
3.如权利要求书1或2所述的一种石墨烯/氢氧化钴电化学超级电容器电极材料的制备方法,其特征在于:步骤A中,所述反应气体选自烃类,反应温度优选为800℃,升温速率为20°C/min;保温时间优选10min。
4.如权利要求书3所述的一种石墨烯/氢氧化钴电化学超级电容器电极材料的制备方法,其特征在于:步骤A中,所述反应气体为甲烷。
5.如权利要求书1所述的一种石墨烯/氢氧化钴电化学超级电容器复合电极材料的制备方法,其特征在于:步骤A中,所述真空装置内的背景压强在10Pa以下。
6.如权利要求书1所述的一种石墨烯/氢氧化钴电化学超级电容器复合电极材料的制备方法,其特征在于:步骤B中,所述反应气压的气体压强为400~1200Pa之间,射频功率为100~400W,电离时间为10~50min,反应温度为600~900℃,反应气体与电离气体流量配比为20:60~20:120,单位为sccm,标准状态毫升/分。
7.如权利要求书6所述的一种石墨烯/氢氧化钴电化学超级电容器电极材料的制备方法,其特征在于:所述射频功率为200W,溅射时间为30min,反应温度为800℃,反应气体与电离气体流量配比为20:80。
8.如权利要求书1所述的一种石墨烯/氢氧化钴电化学超级电容器电极材料的制备方法,其特征在于:步骤D中,所述升温至预定反应温度45℃时,保温时间为10min以上。
9.如权利要求书1所述的一种石墨烯/氢氧化钴电化学超级电容器复合电极材料的制备方法,其特征在于:步骤E中,沉积电量恒定为0.1~3.0×10-3Ah/cm2,硝酸钴电解液浓度为0.02~1M,电化学沉积温度为25~65℃,沉积电位为-0.6~-1.2V。
10.如权利要求书1所述的一种石墨烯/氢氧化钴电化学超级电容器电极电极材料体系的制备方法,其特征在于,步骤F中,所述电解液中的铁氰化钾浓度为0.01~2M,氢氧化钾浓度为0.5~6M。
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