[发明专利]薄膜晶体管元件与薄膜晶体管显示装置有效
| 申请号： | 201310050950.0 | 申请日： | 2013-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN103985761B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 张鼎张;陈禹钧;谢天宇;周政旭;张荣芳 | 申请（专利权）人： | 群创光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/10;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人： | 任默闻 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 元件 显示装置 | ||
1.一种薄膜晶体管元件，其特征在于，所述薄膜晶体管元件包含：
一栅极；
一源极；
一漏极；
一绝缘层，使所述栅极与所述源极及所述漏极电性隔离；以及
一主动区，与所述源极及所述漏极接触而分别具有一接触区，并产生一通道，所述通道具有一通道宽度与一通道长度，所述主动区包含一半导体材料，并具有多个主动区边缘；
其中，在平行所述通道宽度的方向上，所述接触区的至少一接触区边缘与和所述接触区边缘最邻近的所述主动区边缘的间距大于2.5微米且小于等于16微米。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管元件，其特征在于，所述间距大于等于3微米，且小于等于12微米。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管元件，其特征在于，所述主动区在一俯视方向上为多边形、弧形、扇形或其组合。
4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管元件，其特征在于，所述主动区在一俯视方向上为对称图形或不对称图形。
5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管元件，其特征在于，所述半导体材料为至少一金属的氧化物状态，所述金属为铟、镓、锌、铝、锡或铪。
6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管元件，其特征在于，所述源极与所述漏极分别经由一开口区与所述主动区接触。
7.一种薄膜晶体管显示装置，其特征在于，所述薄膜晶体管显示装置包含：
多个薄膜晶体管元件，所述薄膜晶体管元件呈阵列设置，且各所述薄膜晶体管元件包含：
一栅极；
一源极；
一漏极；
一绝缘层，使所述栅极与所述源极及所述漏极电性隔离；以及
一主动区，与所述源极及所述漏极接触而分别具有一接触区，并产生一通道，所述通道具有一通道宽度与一通道长度，所述主动区包含一半导体材料，并具有多个主动区边缘；
其中，在平行所述通道宽度的方向上，所述接触区的至少一接触区边缘与和所述接触区边缘最邻近的所述主动区边缘的间距大于2.5微米且小于等于16微米。
8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管显示装置，其特征在于，所述间距大于等于3微米，且小于等于12微米。
9.根据权利要求7所述的薄膜晶体管显示装置，其特征在于，所述主动区在一俯视方向上为多边形、弧形、扇形或其组合。
10.根据权利要求7所述的薄膜晶体管显示装置，其特征在于，所述主动区在一俯视方向上为对称图形或不对称图形。
11.根据权利要求7所述的薄膜晶体管显示装置，其特征在于，所述源极与所述漏极分别经由一开口区与所述主动区接触。
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