[发明专利]集成电路和无线通信设备

说明书

技术领域

本公开涉及集成电路和无线通信设备。

背景技术

在用于切换无线设备的发送和接收的发送/接收开关中，当制造处理用于CMOS时，已经一般使用金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）（例如，参见日本专利申请公报No.2002-335187）。

发明内容

在无线设备中，因为发送/接收开关一般被布置在系统的前级，所以使用MOSFET的发送/接收开关的信号损失影响在接收系统中的接收灵敏度和在发送系统中的发送功率。因此，在使用MOSFET的发送/接收开关中，要求实现MOSFET导通时的低损耗和MOSFET关断时的高隔离。

在使用MOSFET的现有发送/接收开关中，当MOSFET导通时来自导通的信号路径的寄生元件的影响降低以实现低损耗。然而，在用于高频信号的发送/接收开关中，不可以忽略来自关断的信号路径的寄生元件的影响。在一般的系统中，接收侧的信号路径的切换损耗影响接收灵敏度，并且发送侧的信号路径的切换损耗影响发送功率和消耗功率。因此，当实现低损耗时，要求在发送系统和接收系统两者中降低损耗。然而，在降低损耗中存在限制。

期望提供可以在系统中实现低损耗的集成电路和无线通信设备，在该系统中，需要降低损耗并且满足低损耗和高隔离两者。

根据本公开的实施例，提供了一种集成电路，所述集成电路包括：在发送路径上设置的第一开关元件、在接收路径上设置的第二开关元件、在所述第一开关元件的输入侧节点和地电势之间设置的第三开关元件、以及在所述第二开关元件的输出侧节点和地电势之间设置的第四开关元件。当所述第一开关元件和所述第四开关元件关断时，所述第二开关元件和所述第三开关元件导通。当所述第一开关元件和所述第四开关元件导通时，所述第二开关元件和所述第三开关元件关断。所述第一开关元件的输出侧节点连接到所述第二开关元件的输入侧节点，并且，所述第一开关元件的尺寸小于所述第二开关元件的尺寸。

此外，根据本公开的实施例，提供了一种无线通信设备，所述无线通信设备包括：在发送路径上设置的第一开关元件、在接收路径上设置的第二开关元件、在所述第一开关元件的输入侧节点和地电势之间设置的第三开关元件、在所述第二开关元件的输出侧节点和所述地电势之间设置的第四开关元件、以及连接到在所述第一开关元件的输出侧节点和所述第二开关元件的输入侧节点之间的节点的天线。当从所述天线接收到信号、并且所述第一开关元件和所述第四开关元件关断时，所述第二开关元件和所述第三开关元件导通。当从所述天线发送信号、并且所述第一开关元件和所述第四开关元件导通时，所述第二开关元件和所述第三开关元件关断。所述第一开关元件的尺寸小于所述第二开关元件的尺寸。

根据如上所述的本公开的实施例，可以提供能够在需要降低损耗的系统中实现低损耗并且满足低损耗和高隔离两者的集成电路和无线通信设备。

附图说明

图1是图示根据现有技术的使用MOSFET的发送/接收开关的配置示例的图；

图2是图示根据现有技术的使用MOSFET的发送/接收开关的配置示例的图；

图3是图示根据现有技术的发送/接收开关的配置示例的图；

图4是图示根据本公开的第一实施例的发送/接收开关100的配置的图；

图5是图示在图1中所示的根据现有技术的发送/接收开关1000中设置的MOSFET M101和M102的截面图像的图；

图6是图示在图4中所示的根据本公开的第一实施例的发送/接收开关100中设置的MOSFET M11和M12的截面图像的图；

图7是图示根据本公开的第二实施例的发送/接收开关200的配置的图；

图8是图示在图7中所示的根据本公开的第二实施例的发送/接收开关200中设置的MOSFET M21和M22的截面图像的图；

图9是图示根据本公开的第三实施例的发送/接收开关300的配置的图；

图10是图示根据本公开的第四实施例的发送/接收开关400的配置的图；

图11是图示在图10中所示的根据本公开的第四实施例的发送/接收开关400中设置的MOSFET M41和M42的截面图像的图；

图12是图示根据本公开的第五实施例的发送/接收开关500的配置的图；

图13是图示在图12中所示的根据本公开的第五实施例的发送/接收开关500中设置的MOSFET M51和M52的截面图像的图；

图14是图示其中MOSFET M51和M52的寄生电容降低的方面的图；