[发明专利]激光源

权利要求书

1.一种激光源，包括

具有活性区域（45）和射线输出耦合面（12）的半导体层序列（10），所述射线输出耦合面（12）具有第一子区域（121）和与第一子区域不同的第二子区域（122），以及

滤波结构（5），

其中

活性区域（45）在运行时生成具有第一波长范围的相干的第一电磁射线（51）和具有第二波长范围的不相干的第二电磁射线（52），

相干的第一电磁射线（51）沿着辐射方向（90）从第一子区域（121）辐射出去，

不相干的第二电磁射线（52）从第一子区域（121）和第二子区域（122）辐射出去，

第二波长范围包括第一波长范围，以及

滤波结构（5）至少部分地减弱从活性区域沿着辐射方向（90）辐射的不相干的第二电磁射线（52），

滤波结构（5）包括至少一个第一滤波元件（6），该第一滤波元件（6）在辐射方向（90）上布置在半导体层序列（10）的后面，

至少一个第一滤波元件（6）对于电磁射线具有与角度和/或波长有关的透射率（61），

第一滤波元件（6）的透射率（61）随着相对于辐射方向（90）的角度（91）增加和/或随着与第一波长范围的偏差增加而减小，

所述至少一个第一滤波元件（6）包括布拉格镜，

所述布拉格镜具有与波长有关的反射率，该反射率具有一个全局主最大值和至少一个局部次最大值，并且

所述局部次最大值位于第一波长范围中。

2.根据权利要求1所述的激光源，其中

所述至少一个第一滤波元件（6）包括标准具或光学带缘滤波器。

3.根据权利要求1或2所述的激光源，其中

所述半导体层序列被构造为分布式反馈激光器。

4.根据权利要求1或2所述的激光源，其中

所述至少一个第一滤波元件（6）具有至少一个层，该至少一个层具有对于电磁射线来说不透明的材料，并且

所述不透明的材料至少部分地布置在第二子区域（122）上。

5.根据权利要求4所述的激光源，其中

所述至少一个层被构造为具有开口的针孔光阑，并且

所述开口布置在第一子区域（121）上方。

6.根据权利要求1或2所述的激光源，其中

滤波结构（5）包括至少一个第二滤波元件（7），该至少一个第二滤波元件（7）布置在半导体层序列（10）的与射线输出耦合面（12）相对的表面（13）上。

7.根据权利要求6所述的激光源，其中

所述至少一个第二滤波元件（7）具有对于电磁射线来说与角度有关的透射率（61），

其中

该第二滤波元件的透射率（61）随着相对于辐射方向（90）的角度（91）增加而增加。

8.根据权利要求6所述的激光源，其中

所述至少一个第二滤波元件（7）包括布拉格镜。

9.根据权利要求1或2所述的激光源，其中

滤波结构（5）形成用于相干的第一电磁射线（51）的光学共振器的至少一部分，在所述光学共振器中布置有活性区域（45）。

10.根据权利要求1或2所述的激光源，其中

相干的第一电磁射线（51）具有第一强度并且不相干的第二电磁射线（52）具有小于第一强度的第二强度，

所述至少一个第一滤波元件（6）具有对于电磁射线来说与强度有关的透射率（61），以及

所述第一滤波元件（6）对于具有强度大于或等于第二强度的电磁射线是不透明的。

11.根据权利要求10所述的激光器，其中

所述至少一个第一滤波元件（6）的电磁射线的透射率（61）具有饱和特性。

12.根据权利要求10所述的激光源，其中

所述至少一个第一滤波元件（6）具有带有带隙的半导体材料，所述带隙小于相干的第一电磁射线（51）的能量。

13.根据权利要求12所述的激光源，其中

所述至少一个第一滤波元件（6）具有至少一个层，所述层包括半导体材料。