[发明专利]半导体装置、制造半导体装置的方法以及电子设备

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

半导体基板；

层间绝缘层，形成在该半导体基板上；

接合电极，形成在该层间绝缘层的表面上；以及

膜，覆盖包括该层间绝缘层和该接合电极的接合表面的整个表面，

其中，所述膜包括覆盖所述层间绝缘层的绝缘膜部分和覆盖所述接合电极的金属膜部分，以及

其中，所述绝缘膜部分是金属膜部分的金属材料与层间绝缘层的反应产物。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中该金属材料包括从Ta或Ti选择的至少一种。

3.一种包括第一半导体基板和第二半导体基板的半导体装置，该半导体装置通过隔着金属膜层叠接合电极的表面而形成，该半导体装置包括：

该第一半导体基板；

第一层间绝缘层，形成在该第一半导体基板上；

第一接合电极，形成在该第一层间绝缘层的表面上；

该第二半导体基板，接合到该第一半导体基板；

第二层间绝缘层，形成在该第二半导体基板上；

第二接合电极，形成在该第二层间绝缘层的表面上；

金属膜，形成在该第一半导体基板和该第二半导体基板之间的接合表面上并位于该第一接合电极和该第二接合电极之间；以及

绝缘膜，形成在该第一半导体基板和该第二半导体基板之间的该接合表面上并位于与该第一层间绝缘层或该第二层间绝缘层接触的部分上，该绝缘膜包括该金属膜和该第一层间绝缘层或该金属膜与该第二层间绝缘层之间的反应产物。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中：

所述金属膜包括第一金属膜和第二金属膜，

所述绝缘膜包括第一绝缘膜和第二绝缘膜，

所述第一金属膜形成在该第一半导体基板的该第一接合电极上；

所述第一绝缘膜形成在该第一层间绝缘层上，并且包括该第一金属膜与该第一层间绝缘层之间的反应产物；

所述第二金属膜形成在该第二半导体基板的该第二接合电极上；以及

所述第二绝缘膜形成在该第二层间绝缘层上，并且包括该第二金属膜与该第二层间绝缘层之间的反应产物。

5.一种制造半导体装置的方法，包括：

在半导体基板上形成层间绝缘层；

在该层间绝缘层的表面上形成接合电极；以及

在该层间绝缘层和该接合电极的整个表面上形成膜，

其中，所述膜包括覆盖所述层间绝缘层的绝缘膜部分和覆盖所述接合电极的金属膜部分，以及

其中，所述绝缘膜部分是金属膜部分的金属材料与层间绝缘层的反应产物。

6.一种电子设备，包括：

半导体装置，该半导体装置包括：

半导体基板，

层间绝缘层，形成在该半导体基板上，

接合电极，形成在该层间绝缘层的表面上，以及

膜，覆盖包括该层间绝缘层和该接合电极的接合表面的整个表面；以及

信号处理电路，处理该半导体装置的输出信号，

其中，所述膜包括覆盖所述层间绝缘层的绝缘膜部分和覆盖所述接合电极的金属膜部分，以及

其中，所述绝缘膜部分是金属膜部分的金属材料与层间绝缘层的反应产物。