[发明专利]半导体装置及其方法无效
申请号: | 201310049181.2 | 申请日: | 2013-02-07 |
公开(公告)号: | CN103247545A | 公开(公告)日: | 2013-08-14 |
发明(设计)人: | 拉尔夫·奥特伦巴;林峰;阿卜杜尔·拉赫曼·穆罕默德;张翠薇;艾达·菲舍巴赫;克萨韦尔·施勒格尔;于尔根·施雷德尔;约瑟夫·赫格劳尔 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/488;H01L23/495 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;李静 |
地址: | 德国瑙伊*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 及其 方法 | ||
技术领域
本发明涉及将半导体芯片安装在承载件(carrier)上的技术,并且在具体实施方式中,涉及扩散焊接的技术。
背景技术
半导体装置制造商经常努力增加他们的产品的性能,而减少他们的制造成本。半导体装置的制造中的成本密集的区域是封装半导体芯片。如本领域技术人员知道的,在晶片上制作集成电路,然后,将其切割(singulated),以便生产半导体芯片。随后,可将半导体芯片安装在电子传导的承载件上,如引线框架(leadframes)。以低的费用提供高产量的封装方法是期望的。
关于这些和其他原因,对本发明存在需要。
附图说明
包含附图,以提供对实施方式的进一步理解,并且将附图包括在本说明书中且构成本说明书的一部分。附图说明了实施方式,并且与描述一起用来解释实施方式的原理。如通过参考以下详细描述将,它们变得更好地被理解一样,将容易地理解其他实施方式和实施方式的许多预期的优势。附图的要素相对于彼此不一定是按比例的。同样的参考数字指示相应的类似部分。
图1A-1D示意性地示出了将半导体芯片安装到承载件上的方法的一个实施方式的横截面图;
图2A-2C示意性地示出了将半导体芯片安装到承载件上和将接触芯片安装到半导体芯片上的方法的一个实施方式的横截面图;
图3A-3C示意性地示出了将半导体芯片安装到承载件上和将接触芯片安装到半导体芯片和引线上的方法的一个实施方式的横截面图;
图4示意性地示出了安装到承载件上的半导体芯片和连接到半导体芯片上的接触芯片的一个实施方式的横截面图,其中接触芯片是倾斜的;
图5A-5C示意性地示出了将半导体芯片安装到承载件上的方法的一个实施方式的横截面图;
图6A示意性地示出了根据制造半导体装置的方法的一个实施方式的引线框架的顶视图;
图6B示意性地示出了沿着图6A的线A-A’的横截面图;
图6C示意性地示出了沿着图6A的线B-B’的横截面图;
图7A示意性地示出了根据制造半导体装置的方法的一个实施方式的在将半导体芯片放置在引线框架上之后,与图6B对应的横截面图;
图7B示意性地示出了如图7A所示的配置(布置)的顶视图;
图8A示意性地示出了在将焊料材料沉积在半导体芯片上之后,与图7A对应的横截面图;
图8B示意性地示出了如图8A中所示的配置(布置)的顶视图;
图9A示意性地示出了在将接触芯片放置在半导体芯片上之后,与图8A对应的横截面图;
图9B示意性地示出了如图9A中所示的配置的顶视图;
图9C示意性地示出了在被引入到炉子中和形成扩散焊接接缝(焊接接点)之后,图9A的配置的横截面图;
图10示出了利用隧道式炉(隧道炉)来制造半导体装置的方法的实施方式的示意图;和
图11示出了在炉子中利用批处理来制造半导体装置的方法的实施方式的示意图。
具体实施方式
在以下详细描述中,参考附图,所述附图形成其一部分,并且其中,通过可在其中实施本发明的示例性具体实施方式来示出。在这点上,参照待被描述的图的方向使用方向术语,如“顶部”、“底部”、“前面”、“后面”、“前沿”、“尾部”等。因为可以以许多不同取向来设置实施方式的部件,因此方向术语被用于说明的目的,并且决不是限制性的。应该理解,可以利用其他实施方式,并且在不脱离本发明的范围的情况下,可进行结构改变或逻辑改变。因此,以下详细描述不应该认为是限制意义上的,并且本发明的范围由所附的权利要求限定。
应该理解,除非另另外具体指出,否则此处描述的各种示例性实施方式的特征可以彼此结合。
如在本说明书中应用的,术语“耦接的”和/或“电耦接的”不倾向于意味着,要素(元件)必需直接地耦接在一起;可以在“耦接的”或“电耦接的”要素(元件)之间设置中间要素(中间元件)。
下面描述包括半导体芯片的设备。特别地,可以涉及具有垂直结构(纵向结构,竖直结构)的半导体芯片,即,可以以电流可在垂直于半导体芯片的主表面的方向中流动的方式来制造半导体芯片。具有垂直结构的半导体芯片在它的两个主表面上具有电极,即在它的顶面和底面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造