[发明专利]干涉滤波器、光学模块以及电子设备

说明书

技术领域

本发明涉及干涉滤波器、光学模块以及电子设备。

背景技术

在现有技术中，已知有作为使光在一对光学反射膜间进行多重干涉并使所希望波长的光射出的干涉滤波器的波长可变干涉滤波器(例如，参考专利文献1)。

专利文献1中记载的波长可变干涉滤波器具有相对配置的基板，并在基板的彼此相对的面上分别设置有光学反射膜。而且，可以控制光学反射膜之间的距离，可以由入射光得到具有对应于光学反射膜之间的间隙尺寸的波长的光。

这种波长可变干涉滤波器中的光学反射膜(以下，也可以仅称为光学膜)可以使用金属膜或介电体多层膜。光学膜优选兼具高反射率特性和在要使用的光的波段中的透过性，如果考虑该条件，作为金属膜，膜厚薄的银(Ag)是有利候补。但是，银具有耐热性低、易于硫化等长期可靠性低的问题。

在这里，提出了在光学膜中使用以银为主要成分的合金薄膜，以提高可靠性的技术(例如，参考专利文献2)。

在专利文献2，光学膜由含有碳的银合金膜构成。

并且，波长可变干涉滤波器中的光学膜上往往会发生带电，有时由于所述带电会导致很难控制光学膜之间的间隙尺寸。

于是，提出了通过在光学膜的表面设置碳膜来提高抗划伤性以及防静电性的技术(例如，参考专利文献3)。

专利文献3的相机或录像机等拍摄系统中使用的ND(中性密度滤波器)滤波器为SiO₂和Ti金属化合物互相层积、其最外层层积有抗划伤性以及防静电性优异的碳膜的结构。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：特开2008-76749号公报

专利文献2：特开2009-251105号公报

专利文献3：特开2006-84994号公报

专利文献1的波长可变干涉滤波器在形成光学膜后的制作工序中由于光学膜暴露于各种化学品和气体中，因此容易劣化。特别是使用银作为光学膜时容易劣化。

对于上述问题，在专利文献2中干涉滤波器等中的光学膜由含碳的合金膜构成。银可以通过合金化来提高对硫化等的耐性。但是，在长期的可靠性方面还存在特性劣化的问题。因此，仅通过合金化很难解决光学膜的特性劣化的问题，需要有防止光学膜的特性劣化的方法。

并且，在专利文献3中，通过在ND滤波器的最外层设置碳或多或少可以防静电，但是由于碳膜处于电浮动状态(electrically floating state)，因此不能完全防静电。并且虽然ND滤波器的上表面被碳膜覆盖，但是由于端面(侧面)露出，因此在制作工序中会暴露于各种化学品和气体中，有滤波器劣化的顾虑。

根据本发明的至少一个方式，则可以防止作为光学膜的金属膜由于氧化或硫化等而劣化，并且可以防止光学膜表面带电。

发明内容

本发明用于解决上述问题中的至少一部分，并且可以通过以下方式或应用例实现。

应用例1

本应用例涉及的干涉滤波器具备隔着间隙而彼此相对的第一光学膜和第二光学膜，所述第一光学膜及所述第二光学膜中至少一方具有金属膜，所述金属膜的表面及边缘部被具有导电性的阻隔膜覆盖。

根据本应用例，利用阻隔膜包覆金属膜的表面及端部，从而可以隔断氧、水、硫等作为金属膜反射率下降的主要原因的气体等。因此，可以抑制光学膜的特性劣化。

而且，由于阻隔膜具有导电性，因此可以使光学膜上积存的电荷从阻隔膜释放。从而，可以高精度地控制因带电而难以控制的第一光学膜和第二光学膜之间的间隙。

应用例2

在上述应用例涉及的干涉滤波器中，优选所述阻隔膜的电阻率为8×10⁷Ω·cm以下。

根据本应用例，阻隔膜的电阻率为8×10⁷Ω·cm以下。由于电阻率为8×10⁷Ω·cm以下，因此可以使电荷高效的释放至外部，防静电性优异。从而，可以高精度地控制第一光学膜和第二光学膜之间的间隙。

应用例3

在上述应用例涉及的干涉滤波器中，优选地，所述金属膜的材料是Ag单质、以Ag为主成分的合金中任一种，所述阻隔膜是以选自由铟类氧化物、锡类氧化物及锌类氧化物组成的组中的一个或多个物质为主成分的膜，或者是层积了以选自所述组中的物质为主成分的膜的层积膜。

根据本应用例，作为发挥光的反射以及透过特性的金属膜的候补，优选Ag单质和以Ag为主成分的合金中任一种。