[发明专利]非易失性存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种非易失性存储器件，包括：

衬底，所述衬底包括单元区和外围区；

栅图案，所述栅图案形成在所述外围区中的衬底之上；

多层结构，所述多层结构形成在所述外围区中的栅图案之上，所述多层结构包括层间绝缘层和用于牺牲层的材料层；以及

覆盖层，所述覆盖层形成在所述外围区中的栅图案与多层结构之间以覆盖所述衬底，所述覆盖层被配置成防止杂质从所述用于牺牲层的材料层扩散到所述外围区中的衬底。

2.如权利要求1所述的器件，其中，所述覆盖层包括利用低压化学气相沉积工艺的氮化物层，所述用于牺牲层的材料层包括利用等离子体增强化学气相沉积工艺的氮化物层。

3.如权利要求1所述的器件，还包括：

管道栅，所述管道栅形成在所述单元区中的衬底上；

管道沟道层，所述管道沟道层形成在所述管道栅中；

源侧沟道层和漏侧沟道层，所述源侧沟道层和所述漏侧沟道层与所述管道沟道层的两个端部连接，所述源侧沟道层和所述漏侧沟道层从所述管道沟道层突出；

导电图案和层间绝缘层，所述导电图案和所述层间绝缘层被配置成包围所述源侧沟道层和所述漏侧沟道层中的每个，并且交替地层叠。

4.如权利要求3所述的器件，其中，所述管道栅形成在与所述栅图案大体相同的层中，

所述导电图案中的设置在最下层中的导电图案形成在与所述覆盖层大体相同的层中，

形成在所述单元区中的层间绝缘层与形成在所述外围区中的层间绝缘层形成在大体相同的层中，以及

除了所述设置在最下层中的导电图案之外的其余的导电图案形成在与所述用于牺牲层的材料层大体相同的层中。

5.如权利要求3所述的器件，其中，设置在最下层中的导电图案是传输字线。

6.如权利要求1所述的器件，其中，所述覆盖层和所述用于牺牲层的材料层包括刻蚀选择性与所述层间绝缘层不同的材料。

7.一种非易失性存储器件，包括：

衬底，所述衬底包括单元区和外围区；

栅图案，所述栅图案形成在所述外围区中的衬底之上；

覆盖层，所述覆盖层被形成为覆盖所述外围区中的衬底和栅图案；

第一导电图案，所述第一导电图案形成在所述单元区中，位于与所述覆盖层大体相同的层中；

第一层间绝缘层和用于牺牲层的材料层，所述第一层间绝缘层和所述用于牺牲层的材料层交替地层叠在所述外围区中的覆盖层之上；

第二导电图案，所述第二导电图案形成在所述单元区中，位于与所述用于牺牲层的材料层大体相同的层中；

第二层间绝缘层，所述第二层间绝缘层形成在所述单元区中，位于与形成在所述外围区中的第一层间绝缘层大体相同的层中；以及

沟道层，所述沟道层穿过所述第二层间绝缘层、所述第一导电图案以及所述第二导电图案形成。

8.一种制造非易失性存储器件的方法，所述方法包括以下步骤：

在具有单元区和外围区的衬底之上形成导电层；

刻蚀所述导电层以在所述外围区中形成栅图案；

形成覆盖层以覆盖所述栅图案和所述衬底；以及

在所述覆盖层之上交替地层叠层间绝缘层和用于牺牲层的材料层。

9.如权利要求8所述的方法，还包括以下步骤：在所述覆盖层之上交替地层叠所述层间绝缘层和所述用于牺牲层的材料层之后，

在所述单元区中形成缝隙以穿过所述层间绝缘层、所述用于牺牲层的材料层以及所述覆盖层；

通过在所述单元区中刻蚀经由所述缝隙暴露出的所述用于牺牲层的材料层和所述覆盖层而在所述单元区中形成凹陷区；以及

在所述凹陷区内形成导电图案。

10.如权利要求8所述的方法，其中，所述覆盖层包括利用LP-CVD工艺的氮化物层，所述用于牺牲层的材料层包括利用PE-CVD工艺的氮化物层。

11.如权利要求8所述的方法，其中，所述覆盖层和所述用于牺牲层的材料层包括刻蚀选择性与所述层间绝缘层不同的材料层。

12.如权利要求8所述的方法，还包括以下步骤：

通过刻蚀所述导电层而在所述单元区中形成管道栅。