[发明专利]用于控制DRAM中的数据刷新的装置和方法

权利要求书

1.一种用于控制动态随机访问存储器DRAM中的数据刷新的装置，包括：

用于存储数据的动态随机访问存储器DRAM；

刷新控制电路，该刷新控制电路被配置为控制所述DRAM周期性地执行刷新周期用于刷新存储在所述DRAM的每个存储器位置中的数据；以及

刷新地址序列生成器，该刷新地址序列生成器被配置为生成地址的刷新地址序列，该刷新地址序列标识所述DRAM的存储器位置在所述刷新周期中被刷新的次序；

其中所述刷新地址序列生成器被配置为以因刷新周期而异的随机次序利用所述存储器位置的至少一部分的地址生成所述刷新地址序列，

其中，所述刷新地址序列生成器具有普通模式和随机模式，在所述普通模式中，所述刷新地址序列按顺序次序用所述存储器位置的所述至少一部分的所述地址被生成，并且在所述随机模式中，所述刷新地址序列按所述随机次序用所述存储器的所述至少一部分的所述地址被生成；

其中，所述刷新地址序列生成器被配置为当被配置为执行数据处理的处理电路工作在普通模式下时，工作在所述普通模式下；并且所述刷新地址序列生成器被配置为当所述处理电路工作在省电模式下时，工作在所述随机模式下。

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述刷新地址序列生成器包括被配置为按顺序次序生成地址的顺序地址序列的顺序地址序列生成器；并且

所述刷新地址序列生成器被配置为通过随机安排所述存储器位置的所述至少一部分的所述地址的次序来根据所述顺序地址序列生成所述刷新地址序列。

3.根据权利要求1所述的装置，包括被配置为生成至少一个随机数的随机数生成器，其中所述刷新地址序列生成器被配置为根据所述至少一个随机数随机安排所述存储器位置的所述至少一部分的所述地址的次序。

4.根据权利要求3所述的装置，其中所述随机数生成器被配置为在每个刷新周期之后改变所述至少一个随机数。

5.根据权利要求3和4中的任一权利要求所述的装置，其中所述刷新地址序列生成器包括异或XOR门，该异或门被配置为通过将所述地址与由所述随机数生成器生成的第一随机数进行异或来随机安排所述存储器位置的所述至少一部分的所述地址的次序。

6.根据权利要求5所述的装置，其中所述刷新地址序列生成器被配置为根据由所述随机数生成器生成的第二随机数重新安排所述存储器位置的所述至少一部分的所述地址的位位置。

7.根据权利要求6所述的装置，其中所述刷新地址序列生成器被配置为通过将所述地址转动由所述第二随机数所指定的位位置数来重新安排所述地址的刷新地址序列的所述位位置。

8.根据权利要求6所述的装置，其中所述刷新地址序列生成器被配置为利用转换矩阵来重新安排所述地址的刷新地址序列的所述位位置，所述转换矩阵指定针对所述第二随机数的每个可能值、原始位位置与被重新安排的位位置之间的映射。

9.根据权利要求1所述的装置，其中所述DRAM具有表示连续刷新周期之间的最大推荐间隔时段的推荐刷新间隔时段，并且所述刷新控制电路被配置为控制所述DRAM以所述推荐刷新间隔时段的一半为间隔周期性地执行所述刷新周期。

10.根据权利要求1所述的装置，其中所述处理电路和所述DRAM被集成在同一片上系统或同一封装上。

11.根据权利要求1所述的装置，其中所述DRAM和所述处理电路具有分开的电源输入。

12.根据权利要求1所述的装置，其中所述处理电路和所述DRAM共享共同的电源输入。

13.根据权利要求1所述的装置，其中当所述刷新地址序列生成器工作在所述随机模式下时，所述刷新控制电路被配置为控制所述DRAM以两倍于所述刷新地址序列生成器工作在所述普通模式下时的刷新频率的频率执行所述刷新周期。