[发明专利]轮廓准直器和自适应过滤器以及对应的方法有效
| 申请号: | 201310047410.7 | 申请日: | 2013-02-06 |
| 公开(公告)号: | CN103258580A | 公开(公告)日: | 2013-08-21 |
| 发明(设计)人: | S.海德 | 申请(专利权)人: | 西门子公司 |
| 主分类号: | G21K1/02 | 分类号: | G21K1/02;G21K3/00 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 任宇 |
| 地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 轮廓 准直器 自适应 过滤器 以及 对应 方法 | ||
1.一种用于调节X射线辐射(12)的光程的轮廓(10)的轮廓准直器(1)或自适应过滤器(2),其特征在于:该轮廓准直器(1)或自适应过滤器(2)具有
-X射线辐射(12)不可穿透的磁性流体(9),和
-若干可切换的磁体元件(6),通过所述磁体元件(6)能在所述磁性流体(9)内构成一个形成所述轮廓(10)的孔径(11),方式是通过所述磁体元件(6)的磁场(H)吸引所述磁性流体(9)。
2.根据权利要求1所述的轮廓准直器(1)或自适应过滤器(2),其特征在于:所述磁性流体(9)是铁磁流体。
3.根据权利要求1或2所述的轮廓准直器(1)或自适应过滤器(2),其特征在于:所述轮廓准直器(1)或自适应过滤器(2)具有带有所述磁性流体(9)的第一层(4)。
4.根据权利要求1至3中一项所述的轮廓准直器(10)或自适应过滤器(2),其特征在于:所述轮廓准直器(1)或自适应过滤器(2)具有至少一个其内设有所述磁体元件(6)的第二层(5)。
5.根据权利要求4所述的轮廓准直器(1)或自适应过滤器(2),其特征在于:所述轮廓准直器(1)或自适应过滤器(2)具有在所述第二层(5)内由印制电路(7)形成的电栅格结构(8),在所述电栅格结构(8)的交叉点上设有所述磁体元件(6)。
6.根据前述权利要求中一项所述的轮廓准直器(1)或自适应过滤器(2),其特征在于:所述磁体元件(6)包括电流可通过的线圈。
7.根据前述权利要求中一项所述的轮廓准直器(1)或自适应过滤器(2),其特征在于:所述轮廓准直器(1)或自适应过滤器(2)具有根据待形成的轮廓(10)接通和断开所述磁体元件(6)的电控单元(14)。
8.根据权利要求4至7中任一项所述轮廓准直器(1)或自适应过滤器(2),其特征在于:多个第一层(4)和第二层(5)相堆叠。
9.一种用于以轮廓准直器(1)或自适应过滤器(2)调节X射线辐射(12)的光程的轮廓(10)的方法,其特征在于:通过磁场(H)在X射线辐射(12)不可穿透的磁性流体(9)内构成一个形成所述轮廓(10)的孔径(11),方式是通过所述磁场(H)吸引所述磁性流体且从所述孔径(11)的区域内移出。
10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于:所述磁场(H)通过若干可切换的磁体元件(6)形成。
11.根据权利要求9或10所述的方法,其特征在于:所述磁场(H)通过电流形成。
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