[发明专利]轮廓准直器和自适应过滤器以及对应的方法有效

专利信息
申请号: 201310047410.7 申请日: 2013-02-06
公开(公告)号: CN103258580A 公开(公告)日: 2013-08-21
发明(设计)人: S.海德 申请(专利权)人: 西门子公司
主分类号: G21K1/02 分类号: G21K1/02;G21K3/00
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 任宇
地址: 德国*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 轮廓 准直器 自适应 过滤器 以及 对应 方法
【权利要求书】:

1.一种用于调节X射线辐射(12)的光程的轮廓(10)的轮廓准直器(1)或自适应过滤器(2),其特征在于:该轮廓准直器(1)或自适应过滤器(2)具有

-X射线辐射(12)不可穿透的磁性流体(9),和

-若干可切换的磁体元件(6),通过所述磁体元件(6)能在所述磁性流体(9)内构成一个形成所述轮廓(10)的孔径(11),方式是通过所述磁体元件(6)的磁场(H)吸引所述磁性流体(9)。

2.根据权利要求1所述的轮廓准直器(1)或自适应过滤器(2),其特征在于:所述磁性流体(9)是铁磁流体。

3.根据权利要求1或2所述的轮廓准直器(1)或自适应过滤器(2),其特征在于:所述轮廓准直器(1)或自适应过滤器(2)具有带有所述磁性流体(9)的第一层(4)。

4.根据权利要求1至3中一项所述的轮廓准直器(10)或自适应过滤器(2),其特征在于:所述轮廓准直器(1)或自适应过滤器(2)具有至少一个其内设有所述磁体元件(6)的第二层(5)。

5.根据权利要求4所述的轮廓准直器(1)或自适应过滤器(2),其特征在于:所述轮廓准直器(1)或自适应过滤器(2)具有在所述第二层(5)内由印制电路(7)形成的电栅格结构(8),在所述电栅格结构(8)的交叉点上设有所述磁体元件(6)。

6.根据前述权利要求中一项所述的轮廓准直器(1)或自适应过滤器(2),其特征在于:所述磁体元件(6)包括电流可通过的线圈。

7.根据前述权利要求中一项所述的轮廓准直器(1)或自适应过滤器(2),其特征在于:所述轮廓准直器(1)或自适应过滤器(2)具有根据待形成的轮廓(10)接通和断开所述磁体元件(6)的电控单元(14)。

8.根据权利要求4至7中任一项所述轮廓准直器(1)或自适应过滤器(2),其特征在于:多个第一层(4)和第二层(5)相堆叠。

9.一种用于以轮廓准直器(1)或自适应过滤器(2)调节X射线辐射(12)的光程的轮廓(10)的方法,其特征在于:通过磁场(H)在X射线辐射(12)不可穿透的磁性流体(9)内构成一个形成所述轮廓(10)的孔径(11),方式是通过所述磁场(H)吸引所述磁性流体且从所述孔径(11)的区域内移出。

10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于:所述磁场(H)通过若干可切换的磁体元件(6)形成。

11.根据权利要求9或10所述的方法,其特征在于:所述磁场(H)通过电流形成。

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