[发明专利]一种铪二维原子晶体材料及其制备方法

权利要求书

1.一种铪二维原子晶体材料，其特征在于，铪原子成六角蜂窝状排布，并在二维平面内周期性扩展。

2.一种铪二维原子晶体材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

1）在真空环境下，将适量金属材料铪蒸发沉积到过渡金属基底上；

2）对整个样品进行退火处理，以使覆盖在基底表面的铪原子产生相互作用，形成六角蜂窝状排布的二维有序的周期性结构，从而获得铪二维原子晶体材料。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所用的铪是通过电子束蒸发的方法沉积到过渡金属基底上的。

4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，用于生长铪二维原子晶体材料的过渡金属基底为铱的（111）面。

5.如权利要求2所述的方法，其特征在于，进行铪二维原子晶体材料生长的退火温度为350℃~450℃。

6.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述的铪二维晶体材料，铪原子形成了六角蜂窝状排布的有序结构，蜂窝间距为0.54nm，该周期性结构可以被扫描隧道显微镜和低能电子衍射仪所表征。