[发明专利]高深宽比通孔的互连结构及制作方法

权利要求书

1. 一种高深宽比通孔的互连结构，包括基板（1），所述基板（1）具有第一主面及与所述第一主面对应的第二主面；其特征是：所述基板（1）内设有若干通孔；在所述基板（1）的第一主面上淀积有第一阻挡层（8），在所述基板（1）的第二主面上淀积有第二阻挡层（18）；所述第一阻挡层（8）覆盖在基板（1）的第一主面，并覆盖通孔内上部的侧壁，第二阻挡层（18）覆盖在基板（1）的第二主面，并覆盖通孔内下部的侧壁，第一阻挡层（8）与第二阻挡层（18）相接触，且第一阻挡层（8）将通孔分隔成上填充槽及与所述上填充槽对应的下填充槽，且上填充槽与下填充槽通过第一阻挡层（8）隔离；在上填充槽内填充有第一金属填充体（10），在下填充槽内填充有第二金属填充体（20），第一金属填充体（10）通过第一阻挡层（8）及第二阻挡层（18）与第二金属填充体（20）电连接；第一金属填充体（10）、第二金属填充体（20）、第一阻挡层（8）及第二阻挡层（18）与基板（1）间绝缘连接。

2.根据权利要求1所述的高深宽比通孔的互连结构，其特征是：所述基板（1）内通孔的孔径为5μm~500μm。

3.根据权利要求1所述的高深宽比通孔的互连结构，其特征是：所述基板（1）的材料包括硅或玻璃。

4.根据权利要求1所述的高深宽比通孔的互连结构，其特征是：所述基板（1）的材料为硅时，在基板（1）的第一主面淀积有第一绝缘层（5），所述第一绝缘层（5）覆盖基板（1）的第一主面，并覆盖通孔的侧壁；在基板（1）的第二主面淀积有第二绝缘层（16），第一阻挡层（8）覆盖在第一绝缘层（5）上，第二阻挡层（18）覆盖在第二绝缘层（16）上，并覆盖在通孔内对应的第一绝缘层（5）上；第一金属填充体（10）、第二金属填充体（20）、第一阻挡层（8）及第二阻挡层（18）通过第一绝缘层（5）及第二绝缘层（16）与基板（1）间绝缘连接；

在所述基板（1）的第一主面上设有第一绝缘隔离层（11），相邻通孔内的第一金属填充体（10）通过第一绝缘隔离层（11）绝缘隔离，且第一绝缘隔离层（11）覆盖第一金属填充体（10）对应的表面；在所述基板（1）的第二主面上设有第二绝缘隔离层（21），相邻通孔内的第二金属填充体（20）通过第二绝缘隔离层（21）绝缘隔离，且第二绝缘隔离层（21）覆盖第二金属填充体（20）对应的表面；第一金属填充体（10）上设有第一连接电极，所述第一连接电极与第一金属填充体（10）电连接；第二金属填充体（20）上设有第二连接电极，所述第二连接电极与第二金属填充体（20）电连接。

5.根据权利要求4所述的高深宽比通孔的互连结构，其特征是：所述第一绝缘层（5）均为二氧化硅层。

6.根据权利要求1所述的高深宽比通孔的互连结构，其特征是：所述第一阻挡层（8）的材料为Ni、Ta、Ti、Pt、Pd、AlN或TiN中至少一种。

7.根据权利要求1所述的高深宽比通孔的互连结构，其特征是：所述第一金属填充体（10）的材料为Cu、Sn、W、Ti、Pt、Pd、Ni或Au中的至少一种。