[发明专利]多栅鳍式场效应管的制备方法

权利要求书

1.一种多栅鳍式场效应管的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成沟道层和栅介质层；

在所述衬底上形成非晶硅层，并采用刻蚀工艺刻蚀所述非晶硅层，形成至少一个鳍条；

沿所述至少一个鳍条长度方向从所述衬底的两侧向中间采用外延工艺形成第一保护层，直至在沿所述至少一个鳍条长度方向的中间位置形成沟槽；

在所述衬底上形成栅极层，对所述栅极层进行平坦化处理以露出所述第一保护层，并采用刻蚀工艺刻蚀掉所述第一保护层，以形成栅极；

在所述衬底上形成源漏极。

2.根据权利要求1所述的多栅鳍式场效应管的制备方法，其特征在于，所述衬底为深度耗尽沟道衬底或全耗尽绝缘衬底上的硅衬底。

3.根据权利要求1所述的多栅鳍式场效应管的制备方法，其特征在于，在衬底上形成沟道层包括：

在所述衬底上采用外延工艺形成第一硅层和第二硅层，作为所述沟道层。

4.根据权利要求1所述的多栅鳍式场效应管的制备方法，其特征在于，所述衬底的晶向为<100>。

5.根据权利要求1所述的多栅鳍式场效应管的制备方法，其特征在于，在所述衬底上形成非晶硅层，并采用刻蚀工艺刻蚀所述非晶硅层，形成至少一个鳍条包括：

在所述衬底上采用外延工艺形成第二保护层，采用构图工艺刻蚀所述第二保护层，以形成鳍条图案；

在所述衬底上采用外延工艺形成鳍条边墙层，采用各向异性的刻蚀工艺刻蚀所述鳍条边墙层，且采用刻蚀工艺刻蚀掉所述鳍条图案，以形成鳍条边墙；

在所述衬底上采用外延工艺形成非晶硅层，并采用各向异性刻蚀工艺刻蚀所述非晶硅层；

在所述衬底上采用刻蚀工艺刻蚀掉鳍条边墙，形成偶数个鳍条，或采用刻蚀工艺刻蚀掉鳍条边墙及最外侧的一个鳍条，形成奇数个鳍条。

6.根据权利要求5所述的多栅鳍式场效应管的制备方法，其特征在于，所述鳍条边墙和鳍条满足公式：

D_Spacer=2×W_Fin+W_Spacer；

其中，D_Spacer为相邻所述鳍条边墙的间距，W_Fin为每个所述鳍条的宽度，W_Spacer为所述鳍条边墙的宽度。

7.根据权利要求1所述的多栅鳍式场效应管的制备方法，其特征在于，所述采用刻蚀工艺刻蚀掉所述第一保护层的刻蚀工艺为选择性刻蚀工艺。

8.根据权利要求1所述的多栅鳍式场效应管的制备方法，其特征在于，所述沟槽沿所述至少一个鳍条长度方向的宽度为：W=2×H_Fin+W_Fin，其中，W为沟槽沿所述至少一个鳍条长度方向的宽度，H_Fin为所述鳍条的高度，W_Fin为所述鳍条的宽度。

9.一种多栅鳍式场效应管的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成沟道层和栅介质层；

在所述衬底上形成非晶硅层，并采用刻蚀工艺刻蚀所述非晶硅层，形成至少一个鳍条；

在所述衬底上形成栅极层，平坦化处理栅极层，并沿鳍条长度方向从所述衬底的两侧向中间采用外延工艺形成第一保护层，直至在沿所述至少一个鳍条长度方向的中间位置形成沟槽；

在所述衬底上形成第三保护层，对所述第三保护层进行平坦化处理以露出所述第一保护层，并采用刻蚀工艺刻蚀掉所述第一保护层；

采用各向异性刻蚀工艺刻蚀掉露出的所述栅极层，采用刻蚀工艺刻蚀掉所述第三保护层，以形成栅极；

在所述衬底上形成源漏极。

10.根据权利要求9所述的多栅鳍式场效应管的制备方法，其特征在于，所述衬底为深度耗尽沟道衬底或全耗尽绝缘衬底上的硅衬底。

11.根据权利要求9所述的多栅鳍式场效应管的制备方法，其特征在于，在衬底上形成沟道层包括：

在所述衬底上采用外延工艺形成第一硅层和第二硅层，作为所述沟道层。

12.根据权利要求9所述的多栅鳍式场效应管的制备方法，其特征在于，所述衬底的晶向为<100>。