[发明专利]防止背侧照明成像传感器中的漏光无效
| 申请号: | 201310046011.9 | 申请日: | 2013-02-05 |
| 公开(公告)号: | CN103247646A | 公开(公告)日: | 2013-08-14 |
| 发明(设计)人: | 郑伟;文森特·瓦乃兹艾;戴幸志 | 申请(专利权)人: | 全视科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 齐杨 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 防止 照明 成像 传感器 中的 漏光 | ||
1.一种背侧照明传感器装置,其包括:
半导体层,其具有前表面和背侧表面,所述半导体层进一步包含光感测元件和相对于所述光感测元件横向定位的发光元件;
电介质层,其具有第一表面和第二表面,其中所述电介质层的所述第一表面大体上与所述半导体层的所述背侧表面接触;以及
光阻挡元件,其安置在所述电介质层中在所述光感测元件与所述发光元件之间,所述光阻挡元件经定位以阻碍所述发光元件与所述光感测元件之间的光路。
2.根据权利要求1所述的背侧照明传感器装置,其中所述光阻挡元件包含沟槽,所述沟槽穿透所述电介质层的所述第二表面。
3.根据权利要求2所述的背侧照明传感器装置,其中所述光阻挡元件进一步包含安置在所述沟槽中以及所述沟槽的侧壁上的光屏蔽层,其中所述光屏蔽层为光学不透明的。
4.根据权利要求1所述的背侧照明传感器装置,其中所述半导体层的材料允许传入光从所述背侧表面进入所述半导体层且到达所述光感测元件。
5.根据权利要求1所述的背侧照明传感器装置,其中所述电介质层的第一折射率大于所述半导体层的第二折射率。
6.根据权利要求1所述的背侧照明传感器装置,其进一步包括大体上与所述电介质层的所述第二表面接触且安置在所述半导体层的外围电路区下方的光屏蔽层,所述半导体层的所述外围电路区含有所述发光元件且不含有所述光感测元件,其中所述光屏蔽层大体上防止光通过其中。
7.根据权利要求1所述的背侧照明传感器装置,其中所述光阻挡元件大体上围绕所述光感测元件。
8.根据权利要求7所述的背侧照明传感器装置,其中所述光阻挡元件还大体上围绕所述背侧照明传感器装置的黑电平参考像素。
9.根据权利要求1所述的背侧照明传感器装置,其中所述电介质层进一步包含抗反射涂层。
10.一种背侧照明传感器装置,其包括:
半导体层,其具有前表面和背侧表面,所述半导体层包含光感测元件以及含有发光元件且不含有所述光感测元件的外围电路区;
电介质层,其接触所述半导体层的所述背侧表面的至少一部分;以及
光防止结构,其中所述光防止结构的至少一部分安置在所述光感测元件与所述发光元件之间,所述光防止结构经定位以防止所述发光元件发射的光到达所述光感测元件。
11.根据权利要求10所述的背侧照明传感器装置,其中所述光防止结构包含所述电介质层中的沟槽。
12.根据权利要求11所述的背侧照明传感器装置,其中所述光防止结构包含安置在所述沟槽中以及所述沟槽的侧壁上的光屏蔽层。
13.根据权利要求10所述的背侧照明传感器装置,其中所述光防止结构包含:
光屏蔽层,其安置在所述电介质层下方;以及
空隙区,其安置在所述发光元件下方,其中所述空隙区是所述光屏蔽层中的间隙,所述间隙经定位以允许所述发光元件发射的所述光逃逸而非朝向所述光感测元件横向行进。
14.根据权利要求10所述的背侧照明传感器装置,其中所述光感测元件安置在所述半导体层的传感器阵列区中,且所述电介质层安置在所述传感器阵列区下方,且其中所述光防止结构包含在所述外围电路区下方接触所述半导体层的所述背侧表面的光屏蔽层。
15.根据权利要求14所述的背侧照明传感器装置,其中所述电介质层在所述传感器阵列区下方接触所述半导体层的所述背侧表面,且其中所述电介质层安置在所述光屏蔽层下方以及所述外围电路区下方。
16.根据权利要求10所述的背侧照明传感器装置,其中所述电介质层的第一折射率大于所述半导体层的第二折射率。
17.根据权利要求10所述的背侧照明传感器装置,其中所述电介质层进一步包含抗反射涂层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





