[发明专利]一种金属氧化物半导体纳米材料的制备方法

权利要求书

1.一种金属氧化物半导体纳米材料的制备方法，包括以下步骤：取目标金属作为两个相对的电极，连接脉冲直流电源形成放电回路，并将两电极以相对且保持一定间距的位置浸没在水中；在保持搅拌的情况下，连通电路以使两电极之间产生高能量等离子体；依据产量要求控制反应时间，待放电结束后，溶液经过滤或离心分离、干燥即得到对应的金属氧化物半导体纳米材料。

2.权利要求1所述金属氧化物半导体纳米材料的制备方法，具体包括以下步骤：

1）金属电极对的准备

选取两根直径相同的金属棒，然后在两根金属棒外套上内径与金属棒直径相同的氧化铝绝缘管，接着将其固定在内径与氧化铝绝缘管外径相同的特氟龙管中，即得到金属反应电极；

然后，将金属反应电极以水平相对的位置通过容器壁上的孔安装到绝缘容器上，两电极之间间距在0.1-1mm，电极之间夹角为180°，连接脉冲直流电源以形成放电回路；

2）金属氧化物半导体纳米材料的制备

在步骤1的绝缘容器中加入水，确保金属电极对被水浸没且水面到电极的距离大于10mm；在体系保持搅拌的情况下，连通电路，通过电源控制仪表盘选定脉冲频率和脉冲宽度，调节电压直到电极之间等离子体产生；固定上述电压、脉冲频率和脉冲宽度，在等离子放电过程中调整电极对之间间距以使其保持不变，确保等离子体持续产生；持续放电5分钟以上，放电结束后将所得到的溶液继续搅拌10分钟以上，然后经过滤或离心分离、干燥即得到具有独特形貌的金属氧化物半导体纳米材料。

3.权利要求2所述金属氧化物半导体纳米材料的制备方法，其特征在于，所述金属为铜，所述金属氧化物为氧化铜。

4.权利要求2所述金属氧化物半导体纳米材料的制备方法，其特征在于，所述金属为锌，所述金属氧化物为氧化锌。

5.权利要求2所述金属氧化物半导体纳米材料的制备方法，其特征在于，使用金属线代替金属棒。

6.权利要求2或5所述金属氧化物半导体纳米材料的制备方法，其特征在于，金属棒或线的直径为0.5-5mm，优选1-2mm。

7.权利要求2所述金属氧化物半导体纳米材料的制备方法，其特征在于，所述绝缘容器是玻璃容器。

8.权利要求2所述金属氧化物半导体纳米材料的制备方法，其特征在于，两电极之间间距优选0.1-0.5mm，更优选0.2-0.4mm。

9.权利要求2所述金属氧化物半导体纳米材料的制备方法，其特征在于，脉冲频率为5-50kHz，优选10-30kHz；脉冲宽度为0.5-5μs，优选1-3μs。