[发明专利]制备原位级发光二极管阵列结构的方法

权利要求书

1.一种制备原位级发光二极管阵列结构的方法，其中每个发光二极管包括以下步骤：

步骤1：在一衬底上利用金属有机物气相外延的方法依次生长n型层、有源层和p型层；

步骤2：采用光刻工艺在p型层上面的一侧向下刻蚀，刻蚀深度到达n型层的表面，该n型层的一侧形成第一台面，在p型层上面的另一侧向下刻蚀，刻蚀深度到达衬底的表面，该衬底的一侧形成第二台面；

步骤3：在第一台面及第二台面上向下制备导电通孔，并在导电通孔内填充导电金属；

步骤4：在靠近第二台面的n型层、有源层和p型层的端部并覆盖部分p型层的上表面，制备绝缘层；

步骤5：在绝缘层上制备p电极，该p电极覆盖绝缘层和部分p型层，并与导电通孔中的导电金属连接；

步骤6：在第一台面上的导电通孔上制备n电极，该n电极与导电通孔中的导电金属连接；

步骤7：将衬底减薄；

步骤8：在减薄后的衬底的背面的两侧分别制备第一背电极和第二背电极，该第一背电极和第二背电极分别通过导电通孔中的导电金属与p电极和n电极连接，形成发光二极管；

步骤9：利用荧光粉涂覆工艺，对阵列中的发光二极管涂覆可以被激发出不同颜色的荧光粉，并封装发光二极管；

步骤10：在衬底的背面制备金属化图形，将每一发光二极管电性连接；

步骤11：切割，完成原位级发光二极管阵列结构的制备。

2.根据权利要求1所述的制备原位级发光二极管阵列结构的方法，其中衬底为绝缘性材料的蓝宝石，或非绝缘性材料的Si、SiC、GaN或GaAs。

3.根据权利要求1所述的制备原位级发光二极管阵列结构的方法，其中绝缘层的材料为氧化硅或氮化硅。

4.根据权利要求1所述的制备原位级发光二极管阵列结构的方法，其中荧光粉涂覆工艺，包含点胶、定位喷涂或丝网印刷的方法。

5.根据权利要求4所述的制备原位级发光二极管阵列结构的方法，其中对阵列中的每个发光二极管涂覆被激发出不同颜色的荧光粉，或涂覆在发光二极管上的荧光粉的种类进行任意的搭配组合。

6.根据权利要求1所述的制备原位级发光二极管阵列结构的方法，其中切割工艺包括激光划裂、物理切割或化学腐蚀的方法。

7.根据权利要求1所述的制备原位级发光二极管阵列结构的方法，其中在衬底的背面制备金属化图形，其是先在衬底的背面采用光刻工艺制备一图形，在图形上蒸镀金属层，剥离形成金属化图形。