[发明专利]具有反射镜结构的LED发光器件及其制备方法有效
申请号: | 201310045284.1 | 申请日: | 2013-02-05 |
公开(公告)号: | CN103117343A | 公开(公告)日: | 2013-05-22 |
发明(设计)人: | 魏臻;孙智江 | 申请(专利权)人: | 海迪科(南通)光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/10 | 分类号: | H01L33/10;H01L33/12;H01L33/00 |
代理公司: | 苏州广正知识产权代理有限公司 32234 | 代理人: | 张汉钦 |
地址: | 226500 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 反射 结构 led 发光 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种具有反射镜结构的LED发光器件,包括具有缓冲层的半导体衬底外延片,所述的半导体衬底上预定区域内形成有透明导电层,所述的缓冲层、透明导电层上方具有金属反射镜结构与电极,其特征在于:所述的缓冲层、透明导电层上方自下而上形成有第一钝化层、第一氧化层、金属反射镜结构、第二氧化层、第二钝化层的层状结构,所述的第一氧化层用于增加第一钝化层、金属反射镜结构之间粘附性,所述的第二氧化层用于增加金属反射镜结构与第二钝化层之间粘附性。
2.根据权利要求1所述的具有反射镜结构的LED发光器件,其特征在于:所述的透明导电层位于电极下方。
3.一种用于制备如权利要求1或2所述的具有反射镜结构的LED发光器件的制备方法,包括如下工艺步骤:
a) 提供一具有缓冲层的半导体衬底外延片,所述的半导体衬底上预定区域内形成有透明导电层;
b) 在所述的缓冲层、透明导电层上方依次形成第一钝化层、第一氧化层;
c) 在所述的第一氧化层上方制作金属反射镜结构;
d) 在所述的金属反射镜结构上方依次形成第二氧化层、第二钝化层;
e) 制作电极。
4.根据权利要求3所述的具有反射镜结构的LED发光器件的制备方法,其特征在于:所述的第一氧化层、第二氧化层的材料为所述的金属反射镜结构材料的对应氧化物。
5.根据权利要求3所述的具有反射镜结构的LED发光器件的制备方法,其特征在于:所述的第一氧化层、第二氧化层的材料包括Al2O3。
6.根据权利要求3所述的具有反射镜结构的LED发光器件的制备方法,其特征在于:所述的金属反射镜结构的材料包括银。
7.根据权利要求3所述的具有反射镜结构的LED发光器件的制备方法,其特征在于:所述的透明导电层包括ITO、NiAu或AZO材料。
8.根据权利要求3所述的具有反射镜结构的LED发光器件的制备方法,其特征在于:所述的第一钝化层、第二钝化层的材料包括SiO2、SiN。
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