[发明专利]一种LED金属引线框架及其制造方法有效
| 申请号： | 201310044640.8 | 申请日： | 2013-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN103972373B | 公开（公告）日： | 2017-08-18 |
| 发明（设计）人： | 夏勋力;李程;唐永成;吴廷;麦家儿 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/62 | 分类号： | H01L33/62 |
| 代理公司： | 广州骏思知识产权代理有限公司44425 | 代理人： | 吴静芝 |
| 地址： | 528000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 led 金属 引线 框架 及其 制造 方法 | ||
1.一种LED金属引线框架的制造方法，包括如下步骤：
步骤S10：对金属带进行腐蚀，形成金属引线框架；
步骤S20：对金属引线框架进行粗化处理；
其特征在于：所述步骤S10包括步骤：延平金属带，在金属带前后表面覆盖一防蚀层或覆盖一防蚀模具，然后对所述防蚀层或防蚀模具以外的金属带进行蚀刻，形成金属引线框架；所述步骤S20包括步骤：不移走所述防蚀层或防蚀模具，对所述金属引线框架的侧面进行粗化处理，然后去除所述防蚀层或防蚀模具；还包括步骤S30：首先对该金属引线框架电镀一第一银层，然后再在该第一银层的表面电镀一第二银层，该第二银层的厚度大于该第一银层；
该步骤S30中电镀第一银层的电镀电流的密度为0.2-0.5A/dm2，镀液的温度为40-80℃；或/和该步骤S30中电镀第二银层的电镀电流的密度为0.5-2A/dm2，镀液的温度为40-80℃。
2.根据权利要求1所述的LED金属引线框架的制造方法，其特征在于：该第一银层的厚度为1～1.5μm之间。
3.根据权利要求1所述的LED金属引线框架的制造方法，其特征在于：该第二银层的厚度为1.5～2μm之间。
4.根据权利要求1所述的LED金属引线框架的制造方法，其特征在于：在该步骤S10中，采用腐蚀液蚀刻该金属带以形成金属引线框架；在该步骤S20中，将带有所述防蚀层或防蚀模具的金属引线框架放入微蚀剂中进行粗化处理。
5.根据权利要求4所述的LED金属引线框架的制造方法，其特征在于：该金属带的材质为铜，该步骤S10中蚀刻金属带的腐蚀液为氯化铁溶液。
6.根据权利要求4所述的LED金属引线框架的制造方法，其特征在于：该步骤S20中的微蚀剂包括硫酸和过氧化氢组分。
7.根据权利要求1-6中任一所述的制造方法制造的LED金属引线框架，其特征在于：所述金属引线框架侧边形成峰谷状的微粗化结构，所述峰谷状的微粗化结构是两峰之间的最大间距值在5-20μm范围内，两峰之间的平均间距值在1-5μm范围内。
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