[发明专利]非易失性存储器件、非易失性存储系统、及其编程方法

说明书

对相关申请的交叉引用

本发明要求于2012年3月23日向韩国特许厅提交的韩国专利申请No.10-2012-0029738的优先权，通过引用将其全部内容合并于此。

技术领域

这里描述的发明构思涉及半导体存储器件，而且更具体地，涉及非易失性存储器件、非易失性存储系统、及其编程方法。

背景技术

半导体存储器件可以是易失性的和非易失性的。易失性半导体存储器件可以以高速执行读和写操作，而其中存储的内容可以在断电时丢失。非易失性半导体存储器件即便在断电时也可以保持其中存储的内容。非易失性半导体存储器件可以用来存储不管它们是否被供电都必须保持的内容。

非易失性半导体存储器件可以包括掩模只读存储器（MROM）、可编程ROM（PROM）、可擦除可编程ROM（EPROM）、电可擦可编程ROM（EEPROM）等。

闪速存储器件可以代表非易失性半导体存储器件。闪速存储器件可以被广泛地用作诸如计算机、蜂窝电话机、PDA、数字相机、摄像机、录音机、MP3播放器、手持PC、游戏机、传真机、扫描仪、打印机等的信息设备的语音和图像数据存储介质。

近些年，已经研究具有三维堆叠的存储单元（memory cell）的半导体存储器件以改善半导体存储器件的集成度。

发明内容

本发明构思的示例实施例提供一种用于编程非易失性存储器件的方法，该非易失性器件包括以多个页部分为单位编程的多电平单元。该编程方法包括：选择非易失性存储器件的诸如存储器块、子块、和超级块的存储器单元；以及根据其中交替地选择行的交替编程方式编程所述存储器单元中的包括LSB页部分的至少两个页部分。

本发明构思的示例实施例还提供一种在包括多电平存储单元的非易失性存储器件中编程写数据的方法。该方法包括：根据其中交替地选择行的交替编程方式在选择的存储器单元的第一页部分和第二页部分处编程写数据的一部分；以及根据其中顺序地选择行的顺序编程方式在所述存储器单元的第三页部分处编程写数据的剩余部分。

本发明构思的示例实施例还提供一种在包括多电平存储单元的非易失性存储器件中编程写数据的方法。该方法包括：根据其中交替地选择行的交替编程方式在选择的存储器单元的第一页部分、第二页部分、和第三页部分处编程写数据的一部分；以及根据其中顺序地选择行的顺序编程方式在所述存储器单元的第四页部分处编程写数据的剩余部分。

本发明构思的示例实施例还提供一种非易失性存储器件，包括：存储单元阵列，包括将要以多个页为单位编程的多电平存储单元；页缓冲器，连接到该存储单元阵列的位线；行译码器，经由字线和选择线连接到该存储单元阵列；以及控制逻辑，被配置为控制该页缓冲器或该行译码器在包括在选择的存储器单元中的多个页部分处编程数据。当写数据小于所述选择的存储器单元的存储容量时，在所述多个页部分的除了至少一个页部分之外的剩余页部分处编程写数据的一部分。

本发明构思的示例实施例还提供一种存储器系统，包括：非易失性存储器件，包括以多个页部分为单位编程的多电平存储单元；以及存储器控制器，被配置为选择该非易失性存储器件的存储器单元用于编程写数据。该存储器控制器被配置为控制该非易失性存储器件根据部分交替编程模式和完全交替编程方式之一编程写数据，在部分交替编程模式中，根据交替地选择行的交替编程方式编程所述存储器单元的一些页部分，在完全交替编程方式中，根据交替编程方式编程所述存储器单元的所有页部分。

本发明构思的示例实施例还提供一种用于编程非易失性存储器件的方法，该非易失性存储器件包括沿多个行布置的存储单元。该编程方法包括：交替地选择字线以在与所述存储单元相关联的第一页部分和第二页部分处编程数据；以及在第一页部分和第二页部分被填充之后，根据布置字线的次序在与所述存储单元相关联的第三页部分处编程数据。

本发明构思的示例实施例还提供一种用于编程非易失性存储器件的方法，该非易失性存储器件包括沿多个行布置的存储单元。该编程方法包括：根据布置字线的次序在与所述存储单元相关联的第一页部分处编程数据；以及在第一页部分被填充之后，交替地选择字线以在与所述存储单元相关联的第二页部分和第三页部分处编程数据。

本发明构思的示例实施例还提供一种用于编程非易失性存储器件的方法，该非易失性存储器件包括多个行，每个行具有多个页部分，在页部分中，以页为单位写入数据。该编程方法包括：以第一加扰方式选择每个行的页部分的至少两个页部分以编程该至少两个页部分；以及以其中根据布置次序顺序地选择多个行的第二加扰方式编程每个行的页部分的另一个页部分。