[发明专利]一种多晶硅除硼的方法有效
| 申请号： | 201310043612.4 | 申请日： | 2013-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN103072993A | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 李伟生;龚炳生;叶文金 | 申请（专利权）人： | 福建兴朝阳硅材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 北京元中知识产权代理有限责任公司 11223 | 代理人： | 王明霞 |
| 地址： | 364211 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 方法 | ||
1.一种多晶硅除硼的方法，其特征在于，包括以下步骤：
（1）将硅块装入中频感应炉石墨坩埚中加热，并熔化成硅液；
（2）向硅液中投入造渣剂，继续加热使造渣剂完全熔化，并保持硅液温度；所述造渣剂由NaCl、KCl与SiO2组成；
（3）将带有通气孔道的石墨棒预热，待预热充分后将通气棒插入到硅液中，开始通氧气；
（4）同时开启高压等离子发生器，在室温下将氧气通道中的氧气电离成氧离子并通过石墨棒注入硅液中；
（5）将步骤（4）中得到的硅液注入保温炉中凝固，待硅锭冷却后，去除硅锭表面渣块，得到提纯后的精制低硼多晶硅。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤（1）中，采用中频感应加热装置将硅块加热熔化，硅液的温度为1500～1800℃。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，按质量百分比计，所述造渣剂中，NaCl为20%～30%，KCl为20%～30%，SiO2为40%~60%。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，按质量百分比计，所述造渣剂中，NaCl为25%～30%，KCl为25%～30%，SiO2为40%～50%。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤（2）中，所述硅块与造渣剂的质量比为1：0.6～1。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述步骤（2）中，所述硅块与造渣剂的质量比为1：0.8～1。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤（2）中，保持硅液温度在1500～1800℃。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤（3）中，所述氧气的流量为5～12L/min，通气反应时间为25～35min。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤（4）中，所述高压等离子发生器的工作电压为20～30KV，通电时间1～3h。
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