[发明专利]雾化清洗装置和方法

权利要求书

1.一种雾化清洗装置，其特征在于，所述雾化清洗装置包括冷却结构（3）、气动雾化结构（5）以及固定于所述气动雾化结构（5）之上谐振雾化结构，所述冷却结构（3）固定于所述谐振雾化结构之上，所述谐振雾化结构包括换能器和谐振器（6），所述谐振器（6）上设有排液孔（15），所述气动雾化结构（5）上开有第二进液孔、第二进气孔（8）和雾化喷射口（10），所述排液孔（15）与所述第二进液孔相连，所述第二进液孔与所述雾化喷射口（10）连通，所述第二进气孔（8）和所述雾化喷射口（10）连通。

2.根据权利要求1所述的雾化清洗装置，其特征在于，所述排液孔（15）与所述第二进液孔通过导管（4）相连；所述冷却结构（3）为上端封闭且下端开口的圆柱形壳体，冷却结构（3）的侧壁上设有第三进气孔（2）和排气孔（11），所述冷却结构（3）的封闭端设有电缆接头（1），所述电缆接头（1）与所述换能器相连。

3.根据权利要求2所述的雾化清洗装置，其特征在于，所述冷却结构（3）的内部从封闭端向下延伸出与所述冷却结构（3）的侧壁同心的第二环状薄壁，所述第二环状薄壁与所述冷却结构（3）的侧壁之间的空间为第二外环，所述第二环状薄壁内的空间为第二内环，所述第三进气孔（2）设置于冷却结构（3）的封闭端且与所述第二内环相连，所述排气孔（11）设置于所述冷却结构（3）的侧壁上且与所述第二外环相连，所述第二环状薄壁下端均布有连通第二外环与第二内环的第二通孔（12）。

4.根据权利要求1-3任一项所述的雾化清洗装置，其特征在于，所述换能器包括压电晶体（13）和耦合片（19），所述压电晶体（13）通过导电胶与耦合片（19）连接，所述耦合片（19）位于所述谐振器（6）之上且将所述冷却结构（3）的下端密封。

5.根据权利要求4所述的雾化清洗装置，其特征在于，所述耦合片（19）由单一介质或多介质制成，厚度为1/4波长的整数倍。

6.根据权利要求5所述的雾化清洗装置，其特征在于，所述谐振器（6）为上端开口且下端封闭的圆筒结构，其上端开口通过所述耦合片（19）密封，所述谐振器（6）的侧壁上还设有第一进气孔（7）、第一进液孔（18）。

7.根据权利要求6所述的雾化清洗装置，其特征在于，所述谐振器（6）的内部从封闭端向上延伸出与所述谐振器（6）的侧壁同心的第一环状薄壁，所述第一环状薄壁与所述谐振器（6）的侧壁之间的空间为第一外环（16），所述第一环状薄壁内的空间为第一内环（20），所述第一进气孔（7）和所述第一进液孔（18）设置于所述谐振器（6）的侧壁上且与所述第一外环（16）连通，所述排液孔（15）设置于第一环状薄壁上部且与所述第一内环（20）连通，所述谐振器（6）的侧壁上开有安装导管（4）的第一安装孔，所述第一环状薄壁下端均布有连通第一外环（16）与第一内环（20）的第一通孔（17）。

8.根据权利要求7所述的雾化清洗装置，其特征在于，在所述第一外环（16）与所述耦合片（19）之间设有一个圆环形挡板，所述挡板下部沿轴向延伸出凸出部分，使挡板的横截面成“T”字型，所述挡板下部的凸出部分插入第一外环（16）并与第一外环（16）上部粘合。

9.根据权利要求8所述的雾化清洗装置，其特征在于，所述挡板的下端面在所述第一通孔（17）之上，所述挡板上开有用于安装导管（4）的第二安装孔。

10.根据权利要求9所述的雾化清洗装置，其特征在于，所述气动雾化结构（5）为圆柱体，在所述气动雾化结构（5）的中心轴上开孔形成雾化喷射口（10），在所述气动雾化结构（5）的径向开有第二进液孔。

11.根据权利要求10所述的雾化清洗装置，其特征在于，所述气动雾化结构（5）的上端设有法兰，所述冷却结构（3）、谐振器（6）和气动雾化结构（5）通过螺栓固定连接。

12.根据权利要求1-11任一项所述的雾化清洗装置进行雾化清洗的方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1.将第一进气孔（7）、第二进气孔（8）和第三进气孔（2）与外部气路连接，将第一进液孔（18）与外部液路连接；

S2.将电缆接头（1）与功率放大器连接，将交变电压施加给压电晶体（13），使压电晶体（13）产生振动形成兆声波，使谐振器（6）内的液体分裂成超微液滴流并通过导管（4）进入气动雾化结构（5）；

S3.在从第二进气孔（8）通入的压缩空气的作用下，所述超微液滴流分解成单一的超微液滴，从雾化喷射口（10）喷出，将雾化喷射口（10）对准需要清洗的半导体晶片进行清洗。