[发明专利]一种应用高丰度稀土La生产的稀土永磁体及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201310042511.5 申请日: 2013-01-30
公开(公告)号: CN103093912A 公开(公告)日: 2013-05-08
发明(设计)人: 严密;金佳莹;马天宇;梁丽萍;张培;高翠 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: H01F1/053 分类号: H01F1/053;B22F9/04;B22F3/16
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人: 张法高
地址: 310027 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 应用 高丰度 稀土 la 生产 永磁体 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种应用高丰度稀土La生产的稀土永磁体,其特征在于以质量百分数计包括90~97%的主合金和3~10%经纳米改性的晶界相辅合金,其中经纳米改性的晶界相辅合金包括90~99.999%晶界相辅合金和0.001~10%纳米粉;

主合金以原子百分数计,其成分为(Nd1-x-yLaxREy)uFe100-u-v-wMvBw,Nd为钕元素,La为镧元素,RE为稀土元素Ce、Pr、Sm、Eu、Gd、Ho、Er中的一种或几种,Fe为铁元素,M为Al、C、Co、Cr、Cu、F、Ga、Mn、Mo、N、Nb、Ni、P、Pb、S、Si、Ta、Ti、V、Zr元素中的一种或几种,B为硼元素;x、y、u、v和w满足以下关系:0.1≤x≤0.6、0.01≤y≤0.1、12≤u≤18、0≤v≤2、5.8≤w≤7;

晶界相辅合金以原子百分数计,其成分为R100-zM'z,R为La、Ce、Pr、Nd、Ho、Gd、Er中的一种或几种,M'为Al、B、Bi、Ca、Co、Cr、Cu、Fe、Ga、In、Mg、Mn、Mo、Nb、Ni、Pb、Si、Sn、Ta、Ti、V、W、Zn、Zr元素中的一种或几种;z满足:0<z<100。

2.根据权利要求1所述的一种应用高丰度稀土La生产的稀土永磁体,其特征在于所述的纳米粉为:纳米金属粉末、纳米氧化物粉末、纳米氮化物粉末或纳米碳化物粉末,其中,纳米金属粉末为:Cu及其合金、Zn及其合金、Ti及其合金、Mg合金或Ni合金,纳米氧化物粉末为:SiO2、Dy2O3、ZnO、MgO、CuO、Fe2O3、Al2O3、Y2O3或TiO2,纳米氮化物粉末为AlN、TiN、ZrN或Si3N4,纳米碳化物粉末为TiC、SiC、Fe3C、NbC、ZrC、WC或VC,纳米粉末的平均颗粒直径为1~100nm。

3.根据权利要求1或2所述的一种应用高丰度稀土La生产的稀土永磁体的制备方法,其特征在于它的步骤如下:

主合金经真空中频感应熔炼、速凝鳞片铸锭、氢爆处理和气流磨,得到主合金粉末;

晶界相辅合金经真空中频感应熔炼后进行粗破碎和机械球磨,得到晶界相辅合金粉末;

将纳米粉末与晶界相辅合金粉末混合进行纳米改性,得到纳米改性的晶界相辅合金粉末,其中,添加的纳米粉质量分数为0.001~10%;

将质量百分数为90~97%的主合金粉末和质量百分数为3~10%的纳米改性的晶界相辅合金粉末混合均匀后进行磁场取向压型,得到生坯,将生坯真空封装后进行冷等静压,在高真空正压烧结炉中1070~1150℃间烧结3~5h,880~970℃间进行一级回火,480~670℃间进行二级回火,得到稀土永磁体。

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